[实用新型]负载过流检测保护电路

权利要求书

1.一种负载过流检测保护电路，由电源电路供电，包括控制芯片和系统复位电路，其特征在于：所述的负载过流检测保护电路还包括有过流触发电路、过流保护电路、信号传递电路和复位触发电路，所述的电源电路通过过流触发电路与过流保护电路电连接，所述过流触发电路的输出端与信号传递电路电连接，所述信号传递电路和系统复位电路的输出端均与复位触发电路电连接，所述复位触发电路的输出端与控制芯片的复位端口电连接，所述控制芯片的一个输出端与过流保护电路的控制端电连接。

2.根据权利要求1所述的负载过流检测保护电路，其特征在于：所述的过流触发电路包括电阻R1、电阻R2、电阻R3和第二三极管TR2，所述电阻R1的第一导通端、电阻R3的第一导通端和第二三极管TR2的发射极均与电源电路连接，所述电阻R1的第二导通端通过电阻R2与第二三极管TR2的基极电连接，电阻R3的第二导通端与第二三极管TR2的基极电连接，所述电阻R1的第二导通端还与过流保护电路电连接，所述第二三极管TR2的集电极与所述的信号传递电路电连接。

3.根据权利要求1所述的负载过流检测保护电路，其特征在于：所述的过流保护电路包括第一三极管TR1、电阻R4、电阻R5、电阻R6、可控硅SCR1和电容C1，第一三极管TR1的基极与控制芯片的一个输出端电连接，所述电阻R4的第一导通端与过流触发电路电连接，电阻R4的第二导通端通过电阻R5与第一三极管TR1的集电极电连接，电阻R4的第二导通端还与可控硅SCR1的门极电连接，可控硅SCR1的阳极与过流触发电路电连接，可控硅SCR1的阴极与负载电连接，所述的电阻R6和电容C1串联后与所述的可控硅SCR1并联。

4.根据权利要求1所述的负载过流检测保护电路，其特征在于：所述的信号传递电路包括电容C2、电阻R7、电阻R8和第三三极管TR3，所述电容C2的正极和电阻R7的第一导通端均与所述过流触发电路的输出端电连接，电容C2的负极接地，电阻R7的第二导通端接地，电阻R8的第一导通端与电容C2的正极电连接，电阻R8的第二导通端与第三三极管TR3的基极电连接，第三三极管TR3的发射极接地，第三三极管TR3的集电极与所述的复位触发电路电连接。

5.根据权利要求1所述的负载过流检测保护电路，其特征在于：所述的复位触发电路包括电阻R9、电阻R10、电阻R11、电容C3和第四三极管TR4，电阻R11与电容C3并联，电阻R9的第一导通端与系统复位电路电连接，电阻R9的第二导通端通过电阻R10接地，电阻R9的第二导通端还与第四三极管TR4的基极电连接，第四三极管TR4的基极还与所述的信号传递电路的输出端电连接，所述第四三极管TR4的集电极与电源电路连接，第四三极管TR4的发射极通过电阻R11接地，第四三极管TR4的发射极与控制芯片的复位端口电连接。

6.根据权利要求1或2或3或4或5所述的负载过流检测保护电路，其特征在于：所述的控制芯片为单片机。