[实用新型]有机薄膜晶体管、有机薄膜晶体管阵列基板及显示器件

说明书

技术领域

本实用新型涉及显示领域，尤其涉及一种有机薄膜晶体管、有机薄膜晶体管阵列基板及显示器件。

背景技术

有机薄膜晶体管具有工艺简单、成本低及柔韧性良好等优点，在平板显示领域应用前景广阔。因此，OTFT(Organic Thin Film Transistor，有机薄膜晶体管)阵列基板的研究与开发受到了广泛关注。通常在OTFT阵列基板的制作过程中需要多次构图工艺，以形成图案化的层结构。典型的OTFT具有这样的结构：栅电极和由有机半导体材料制成的有源层形成在基板上，栅极绝缘膜置于它们之间，彼此分隔的源电极和漏电极接触有源层，并对应于栅电极的两侧且与栅电极绝缘。有机半导体材料具有低化学和光学稳定性，图形化很难且很复杂。目前出现一种喷墨打印工艺，用以制作OTFT的有源层。其中，喷墨打印工艺是，将墨滴(即制作图案所用材料溶解在特定溶剂里形成的溶浆)打印在需要制作图案的区域，以形成所需图案的工艺。

在制作现有技术中的OTFT或OTFT阵列基板的过程中，当使用喷墨打印工艺制作OTFT的有源层时，由于墨滴的流动性会造成有源层的图案不能严格达到制作要求，即造成有源层的图案不够精准，从而影响OTFT的性能。

实用新型内容

本实用新型的实施例提供一种有机薄膜晶体管、有机薄膜晶体管阵列基板及显示器件，用以提高有机薄膜晶体管的特性，且工艺处理简单。

为达到上述目的，本实用新型的实施例采用如下技术方案：

一种有机薄膜晶体管，包括：透明基板，在该透明基板上形成的所述有机薄膜晶体管的源极、漏极和栅极，有源层，以及形成在栅极和有源层之间的栅绝缘层；在所述透明基板上设置有第一隔离墙和第二隔离墙，且所述有机薄膜晶体管的源极、漏极分别覆盖所述第一隔离墙的内侧和第二隔离墙的内侧，所述有源层设置在所述源极、漏极之间。

一种有机薄膜晶体管阵列基板，包括透明基板，形成在该透明基板上的栅线和数据线，以及栅线和数据线所限定像素区域内的有机薄膜晶体管和像素电极；所述有机薄膜晶体管包括：源极、漏极和栅极、有源层、以及形成在栅极和有源层之间的栅绝缘层；所述漏极与所述像素电极电连接；在所述透明基板上设置有第一隔离墙和第二隔离墙，且所述有机薄膜晶体管的源极、漏极分别覆盖所述第一隔离墙的内侧和第二隔离墙的内侧，所述有源层设置在所述源极、漏极之间。

一种显示器件，包括上述任一有机薄膜晶体管阵列基板。

本实用新型实施例提供的有机薄膜晶体管、有机薄膜晶体管阵列基板及显示器件，通过在所述透明基板上设置第一隔离墙和第二隔离墙，且有机薄膜晶体管的源极和漏极分别覆盖所述第一隔离墙的内侧和第二隔离墙的内侧；使得分别被隔离墙垫高的薄膜晶体管的源、漏极能够限定制作有源层的区域，从而能够在所限定的区域利用喷墨打印工艺制作有源层，这样就可以精确控制有源层的图案，并且可以使有源层与源、漏极实现更大面积的接触，提高TFT的特性。另外，在现有技术中，与有源层接触的不仅有隔离墙的有机材料，而且有源漏极的金属或金属氧化物等，这样为了使有源层成膜均匀，需要不同的处理方法，工艺复杂，而在本实用新型中，与有源层接触的只有源漏极的金属或金属氧化物等，这样就使得利用喷墨打印工艺制作有源层时工艺更简单。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实施例提供的一种有机薄膜晶体管的剖面结构示意图；

图2为本实施例提供的一种OTFT阵列基板的剖面结构示意图。

附图标记：

1-透明基板，21-源极，22-漏极，31-第一隔离墙，32-第二隔离墙，4-有源层，5-栅绝缘层，6-栅极，7-钝化层，8-像素电极。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。