[实用新型]一种半导体石墨模具有效
申请号: | 201120472323.2 | 申请日: | 2011-11-24 |
公开(公告)号: | CN202394842U | 公开(公告)日: | 2012-08-22 |
发明(设计)人: | 张长百 | 申请(专利权)人: | 北京北方鑫源电碳制品有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/48 |
代理公司: | 北京世誉鑫诚专利代理事务所(普通合伙) 11368 | 代理人: | 孙国栋 |
地址: | 100023 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 半导体 石墨 模具 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种生产半导体器件的石墨模具。
背景技术
行业内普遍采用平板型石墨模具进行半导体器件的烧制,因此半导体器件定位不稳定导致在产品烧结时,容易产生偏心和上引线高度不一,产生次品。
发明内容
本实用新型的目的在于克服现有技术中的不足之处,提供一种用于半导体器件烧结的石墨模具。
为了实现本实用新型的目的,采用的技术方案是:
一种半导体石墨模具,包括模体和模体上线性均匀分布的模孔,其特征在于:所述的模体上冲压成与线性均匀分布的模孔位置匹配的凹槽。
所述的凹槽为长方形或梯形。
有益效果
采用本实用新型的技术方案,可以使产品定位准确,使得产生偏心和上引线高度不一的问题得到改善;其次,减少了模具生产成本。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图;
1为模体;2为模孔;3为凹槽。
具体实施方式
结合附图,对本实用新型做进一步的说明。
如图1所示,本实用新型包括模体1和模体1上线性均匀分布的模孔2,模体1上冲压成与线性均匀分布的模孔2位置匹配的凹槽3;凹槽3为长方形或梯形。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造