[实用新型]在玻璃或金属基片上沉积导电膜或半导体材料的设备

权利要求书

1.在玻璃或金属基片上沉积导电膜或半导体材料的设备，其特征在于设备至少有一台热蒸发沉积装置，该装置有具有渗透性微孔的管状加热器，包容管状加热器且与管状加热管之间形成套管空间的管状保温隔热罩，在管状保温隔热罩上面对玻璃或金属基片处有轴向狭缝开口，导电膜材料或半导体材料置于管状加热器内，导电膜材料或半导体材料被管状加热器加热蒸发，产生的蒸汽在蒸汽压的作用下渗过管状加热器上的微孔、在管状保温隔热罩和管状加热器之间形成的套管空间引导下流出管状保温隔热罩轴向狭缝开口、沉积在传动装置连续传送到狭缝开口附近的玻璃或金属基片上，经结晶形成导电膜或半导体膜层。

2.如权利要求1所述的在玻璃或金属基片上沉积导电膜或半导体材料的设备，其特征在于管状加热器中有内、外表面贯通的微孔，微孔的孔径为1～20μm。

3.如权利要求2所述的在玻璃或金属基片上沉积导电膜或半导体材料的设备，其特征在于微孔孔径为3～10μm。

4.如权利要求1～3之一所述的在玻璃或金属基片上沉积导电膜或半导体材料的设备，其特征在于管状加热器至少一端有反应气体送入机构。

5.如权利要求1～3之一所述的在玻璃或金属基片上沉积导电膜或半导体材料的设备，其特征在于套管空间有反应气体送入机构。

6.如权利要求1～3之一所述的在玻璃或金属基片上沉积导电膜或半导体材料的设备，其特征在于设备中热蒸发沉积装置之后设有稳定热量、蒸汽压或蒸汽分压、及对未沉积蒸汽起反射功能、与基片共同形成狭缝的辅助沉积结晶板。

7.如权利要求6所述的在玻璃或金属基片上沉积导电膜或半导体材料的设备，其特征在于辅助沉积结晶板与基片共同形成的狭缝间隙为3～15mm，辅助沉积结晶板在基片移动方向的长度为300～1500mm。

8.如权利要求1～3之一所述的在玻璃或金属基片上沉积导电膜或半导体材料的设备，其特征在于管状保温隔热罩外有用不锈钢金属板包覆复合保温隔热纤维或保温隔热陶瓷组成的保温隔热层，不锈钢金属板外布置有通冷却介质的管路。

9.如权利要求1～3之一所述的在玻璃或金属基片沉积导电膜或半导体材料的设备，其特征在于传动装置传送的基片沉积膜面距气体流出轴向狭缝开口距离为0.3～20mm。

10.如权利要求1～3之一所述的在玻璃或金属基片上沉积导电膜或半导体材料的设备，其特征在于设备中有进片室或放卷室、有加热段、沉积段、热处理段的沉积室和出片室或收卷室，热蒸发沉积装置位于沉积室中，进片室或放卷室、出片室或收卷室的两端设置密封门锁，将沉积室与大气隔绝，至少在沉积室中设置抽气系统和保护气体充气系统。