[实用新型]晶体管串联电路有效
申请号: | 201120479259.0 | 申请日: | 2011-11-25 |
公开(公告)号: | CN202334272U | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 姜德来 | 申请(专利权)人: | 英飞特电子(杭州)有限公司 |
主分类号: | H02M1/06 | 分类号: | H02M1/06 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 许晓琳 |
地址: | 310053 浙江省杭州市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶体管 串联 电路 | ||
1.一种晶体管串联电路,其特征是,包括:
多个串联的晶体管,各包括控制端、第一端与第二端,控制端信号控制晶体管导通或关断,且当控制端信号控制晶体管为导通状态时,电流由晶体管的第一端流向第二端,其串联方式为相邻晶体管的第一端与第二端依次相连;
多个加速关断电路,包括三个端子,且,
第一加速关断电路的第一端子藕接一驱动信号,第二端子藕接第一晶体管的控制端,第三端子藕接第一晶体管的第二端;
其它加速关断电路与其它晶体管一一对应设置,其中每个加速关断电路的第一端子通过二极管藕接一电源,第二端子藕接对应的晶体管的控制端,第三端子藕接对应晶体管的第二端;
所述第一晶体管的第二端通过稳压器件藕接其它加速关断电路的第一端子。
2.根据权利要求1所述的晶体管串联电路,其特征是,所述加速关断电路包括:
PNP型晶体管,其基极为第一端子,发射极为第二端子,集电极为第三端子;
放电单元,设置于PNP型晶体管的基极与发射极之间。
3.根据权利要求2所述的晶体管串联电路,其特征是,所述放电单元包括电阻、二极管或者稳压管,且二极管或者稳压管的阳极、阴极分别连接PNP型晶体管的基极和发射极。
4.根据权利要求1所述的晶体管串联电路,其特征是,所述第一晶体管的第二端通过稳压器件藕接其它加速关断电路的第一端子的藕接方式包括:
所述第一晶体管的第二端与每个其它加速关断电路的第一端子之间分别藕接一个稳压器件,且藕接方式为稳压器件的阳极连接第一晶体管的第二端,阴极连接对应加速关断电路的第一端子;或
所述第一晶体管的第二端与其它加速关断电路中最邻近的一个的第一端子之间藕接第一稳压器件;且其它加速关断电路中每相邻两个的第一端子之间均藕接一个第二稳压器件。
5.根据权利要求4所述的晶体管串联电路,其特征是,所述稳压器件包括稳压管或瞬变电压抑制二极管。
6.根据权利要求1所述的晶体管串联电路,其特征是,所述其它加速关断电路中的每个加速关断电路的第一端子与电源之间还包括电容,与对应的二极管并联。
7.根据权利要求1所述的晶体管串联电路,其特征是,所述其它晶体管的控制端与第二端之间各藕接一续流保护器件,且藕接方式为续流保护器件的阳极连接对应晶体管第二端,阴极连接对应晶体管的控制端。
8.根据权利要求7所述的晶体管串联电路,其特征是,所述续流保护器件包括二极管、稳压管或瞬变电压抑制二极管。
9.根据权利要求8所述的晶体管串联电路,其特征是,还包括:
所述其它晶体管的控制端与第一端之间各藕接一瞬态高压保护模块,该模块包括二极管和瞬变电压抑制二极管,其中二极管的阴极连接瞬变电压抑制二极管的阴极,二极管的阳极连接对应的晶体管的第一端,瞬变电压抑制二极管的阳极连接对应的晶体管的控制端,或者二极管的阳极连接瞬变电压抑制二极管的阳极,二极管的阴极连接对应的晶体管的控制端,瞬变电压抑制二极管的阴极连接对应的晶体管的第一端。
10.根据权利要求1所述的晶体管串联电路,其特征是,所述多个串联的晶体管为场效应晶体管或绝缘栅双极晶体管。
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