[实用新型]具有双层减反射膜的太阳能电池片有效
申请号: | 201120479332.4 | 申请日: | 2011-11-25 |
公开(公告)号: | CN202332867U | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 李新富 | 申请(专利权)人: | 浙江金贝能源科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216 |
代理公司: | 杭州新源专利事务所(普通合伙) 33234 | 代理人: | 李大刚 |
地址: | 310013 浙江省杭州市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 双层 减反射膜 太阳能电池 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种太阳能电池片,特别是一种具有双层减反射膜的太阳能电池片,属于晶体硅太阳能电池的技术领域。
背景技术
太阳能电池片是太阳能发电系统中最重要的一个单元,太阳能电池片的性能好坏直接影响太阳能发电系统的发电效率。太阳能电池片的主要组成部分为硅片,硅片的硅晶体在生长中受应力、温度等诸多因素的影响会造成悬挂键、晶界等缺陷,并成为非平衡载流子的复合中心,导致晶体硅中少数载流子寿命及扩散长度的降低。为了解决上述问题,太阳能电池片的上方一般采用PECVD方法沉积有SiNx薄膜作为太阳能电池片表面的减反射膜,具有减少电池片表面复合中心、降低表面反射、表面钝化以及体钝化的作用。然而,现有的减反射膜的结构较不合理,使得电池片的钝化效果并不令人满意,从而影响了太阳能电池片的性能。
实用新型内容
本实用新型的目的在于,提供一种具有双层减反射膜的太阳能电池片。本实用新型提高了体钝化效果和表面反射性能,从而提高了电池器件的性能,具有较高的经济和社会效益。
本实用新型的技术方案:一种具有双层减反射膜的太阳能电池片,包括基板,基板的上表面从下至上依次设有第一层SiNx减反射膜和第二层SiNx减反射膜,第二层SiNx减反射膜上方设有纵向的主电极和横向的栅电极;基板的背面设有背电极。
上述的具有双层减反射膜的太阳能电池片中,所述的第一层SiNx减反射膜为SixNyHz减反射膜。
前述的具有双层减反射膜的太阳能电池片中,所述的第一层SiNx减反射膜的厚度为40~45nm。
前述的具有双层减反射膜的太阳能电池片中,所述的第一层SiNx减反射膜的折射率为2.2~2.3。
前述的具有双层减反射膜的太阳能电池片中,所述的第二层SiNx减反射膜的厚度为40nm。
前述的具有双层减反射膜的太阳能电池片中,所述的第一层SiNx减反射膜和第二层SiNx减反射膜的总折射率为2.05~2.07。
与现有技术相比,本实用新型包括基板,基板的上表面设有两层减反射膜:从下至上依次为第一层SiNx减反射膜和第二层SiNx减反射膜;本实用新型的表面沉积两层SiNx减反射膜提高了电池片的体钝化效果和减反射效果。作为优选,第一层SiNx减反射膜采用SixNyHz减反射膜,第一层减反射薄膜因含有较丰富的氢原子,因此能对晶体硅缺陷起到体钝化作用,进一步提高本实用新型的体钝化效果。进一步地,两层SiNx减反射膜的厚度和折射率是申请人经过反复试验、筛选和总结得到的,使得本实用新型的体钝化效果和减反射效果最佳。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图;
图2是本实用新型的截面示意图。
附图中的标记为:1-基板,2-第一层SiNx减反射膜,3-第二层SiNx减反射膜,4-主电极,5-栅电极,6-背电极。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步的说明,但并不作为对本实用新型限制的依据。
实施例:具有双层减反射膜的太阳能电池片,构成如图1和图2所示,包括基板1,基板1的上表面从下至上依次设有第一层SiNx减反射膜2和第二层SiNx减反射膜3,第二层SiNx减反射膜3上方设有纵向的主电极4和横向的栅电极5;基板1的背面设有背电极6;作为优选,所述的第一层SiNx减反射膜2为SixNyHz减反射膜,SixNyHz减反射膜富含氢原子,是本领域较为常见的减反射薄膜;第一层减反射薄膜因含有较丰富的氢原子,因此能对晶体硅缺陷起到体钝化作用,进一步提高本实用新型的体钝化效果。进一步地,第一层SiNx减反射膜2的厚度为40~45nm;所述的第一层SiNx减反射膜2的折射率为2.2~2.3;所述的第二层SiNx减反射膜3的厚度为40nm,且所述的第一层SiNx减反射膜2和第二层SiNx减反射膜3的总折射率为2.05~2.07;两层SiNx减反射膜的厚度和折射率是申请人经过反复试验、筛选和总结得到的,使得本实用新型的体钝化效果和减反射效果最佳。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的