[实用新型]多晶炉上法兰结构

说明书

技术领域：

本实用新型涉及多晶硅生产设备技术领域，特别涉及一种多晶炉上法兰结构。

背景技术：

多晶炉是生产太阳能光伏发电领域的重要生产设备。该设备将多晶硅碎块料、头尾料、埚底料、各种单晶废片等材料装入炉内化料的石英坩埚内，经融化、重新定向结晶及退火等工艺，铸成生产太阳电池的前道原料----多晶硅硅锭。

在多晶硅铸锭过程中，上法兰可以缓解腔体内的真空压力，在作业过程中，避免因腔体内压力过大发生爆炸现象，减少安全隐患。一般的多晶炉是直接将上法兰焊接在腔体上，不能有效的防止铸锭过程中产生的压力大，造成腔体爆炸等现象。

发明内容：

有鉴于此，有必要提供一种有效的防止铸锭过程中因产生的压力大造成腔体爆炸现象发生的多晶炉上法兰结构。

一种多晶炉上法兰结构，其包括法兰及安装在法兰上的水冷焊接件，法兰上自内向外依次设置有第一环形水冷通道、第二环形水冷通道及第三环形水冷通道，第一环形水冷通道内设置有第一分水壁、第二环形水冷通道内设置有第二分水壁及第三分水壁、第三环形水冷通道内设置有第四分水壁及第五分水壁。第二分水壁与第一分水壁及第五分水壁相邻接，第三分水壁与第四分水壁相邻接，且第一分水壁、第二分水壁、第三分水壁、第四分水壁及第五分水壁位于同一条直线上，第一环形水冷通道、第二环形水冷通道及第三环形水冷通道的进水口位于第一分水壁、第二分水壁、第三分水壁、第四分水壁及第五分水壁的同一侧，第一环形水冷通道、第二环形水冷通道及第三环形水冷通道的出水口位于第一分水壁、第二分水壁、第三分水壁、第四分水壁及第五分水壁的另一侧，法兰的周边设置有供半螺纹螺栓穿入的定位孔。

优选的，水冷焊接件包括圆柱形插入部及与圆柱形插入部一端连接的圆形覆盖部，圆柱形插入部的直径与法兰开口的直径相适应，圆形覆盖部的直径大于法兰开口的直径。

将本实用新型提供的多晶炉上法兰结构通过半螺纹螺栓穿入定位孔及多晶炉腔体上的固定孔，并与多晶炉腔体上的固定孔旋紧的方式将多晶炉上法兰结构安装在多晶炉腔体顶部，且法兰上自内向外依次设置有第一环形水冷通道、第二环形水冷通道及第三环形水冷通道实现自身的冷却，如此可以有效的防止铸锭过程中产生的压力大造成腔体爆炸的情况的发生。

附图说明：

附图1是一较佳实施方式的多晶炉上法兰结构的结构示意图。

附图2是图1中多晶炉上法兰结构剖面结构示意图。

图中：多晶炉上法兰结构10、法兰11、第一环形水冷通道111、第一分水壁1111、第二环形水冷通道112、第二分水壁1121、第三分水壁1122、第三环形水冷通道113、第四分水壁1131、第五分水壁1132、水冷焊接件12、圆柱形插入部121、圆形覆盖部122

具体实施方式：

请同时参看图1、图2，多晶炉上法兰结构10包括法兰11及安装在法兰11上的水冷焊接件12。

法兰11上自内向外依次设置有第一环形水冷通道111、第二环形水冷通道112及第三环形水冷通道113。第一环形水冷通道111内设置有第一分水壁1111、第二环形水冷通道112内设置有第二分水壁1121及第三分水壁1122、第三环形水冷通道113内设置有第四分水壁1131及第五分水壁1132。第二分水壁1121与第一分水壁1111及第五分水壁1132相邻接，第三分水壁1122与第四分水壁1131相邻接，且第一分水壁1111、第二分水壁1121、第三分水壁1122、第四分水壁1131及第五分水壁1132位于同一条直线上，第一环形水冷通道111、第二环形水冷通道112及第三环形水冷通道113的进水口14位于第一分水壁1111、第二分水壁1121、第三分水壁1122、第四分水壁1131及第五分水壁1132的同一侧，第一环形水冷通道111、第二环形水冷通道112及第三环形水冷通道113的出水口15位于第一分水壁1111、第二分水壁1121、第三分水壁1122、第四分水壁1131及第五分水壁1132的另一侧，法兰11的周边设置有定位孔16。

水冷焊接件12包括圆柱形插入部121及与圆柱形插入部121一端连接的圆形覆盖部122，圆柱形插入部121的直径与法兰11开口的直径相适应，圆形覆盖部122的直径大于法兰11开口的直径。

将本实用新型提供的多晶炉上法兰结构10通过半螺纹螺栓穿入定位孔16及多晶炉腔体上的固定孔，并与多晶炉腔体上的固定孔旋紧的方式将多晶炉上法兰结构10安装在多晶炉腔体顶部，且法兰上自内向外依次设置有第一环形水冷通道111、第二环形水冷通道112及第三环形水冷通道113实现自身的冷却，如此可以有效的防止铸锭过程中产生的压力大造成腔体爆炸的情况的发生。