[实用新型]一种声表面波滤波器

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种中频、大带宽、高矩形度和高带外抑制度的移动通讯用的声表面波滤波器，属于声表面波滤波技术领域。

背景技术

在移动通讯越来越普及的今天，人们对通讯设备的要求也越来越高。通讯设备不仅要对通带内的有用信号进行滤波，还要保证对带外信号进行有效抑制，达到通带内信号不受邻道信号和其它杂波信号干扰的目的，同时还要尽可能小的减少对通带内信号的能量损耗。而现有的滤波设备无法实现在移动通讯领域的中频、大带宽、高矩形度和高抑制度的声表面波滤波。

发明内容

本实用新型的目的是提供一种应用于移动通讯的中频、大带宽、高矩形度和高抑制度的声表面波滤波器。

本实用新型的目的是通过以下技术方案实现的：

一种声表面波滤波器，包括基片，所述基片采用42度切型的钽酸锂晶片，所述基片采用mle和ladder级联结构设置。

由上述本实用新型提供的技术方案可以看出，本实用新型所述的声表面波滤波器，采用42度切型的钽酸锂晶片，在芯片的结构设计上，采用采用mle和ladder级联结构的芯片设计方案，从而保证了产品的窄带滤波，并且实现了产品的低插入损耗值和对带外信号的高抑制度。

附图说明

图1是本实用新型具体实施方式提供的声表面波滤波器的结构示意图；

图2是本实用新型具体实施方式提供的封装结构示意图。

具体实施方式

本实用新型具体实施方式提供了一种声表面波滤波器，如图1和图2所示，包括基片，所述基片采用42度切型的钽酸锂晶片，所述基片采用mle和ladder级联结构设置。

具体的，芯片的结构设计上，采用mle和ladder级联结构的芯片设计方案；在材料的选取上，采用42度切型的钽酸锂晶片。通过芯片结构上的设计和材料上的选取，实现了产品的窄带滤波、低插入损耗值和对带外信号的高抑制度。

42度切型钽酸锂的机电耦合系数为0.7，这样在材料上就保证了产品在实现窄带滤波的同时，插入损耗值不会很大，插入损耗典型值为4.05dB，最大值不超过4.5dB。

芯片的结构设计上，采用mle和ladder级联结构的芯片设计方案。Mle结构使得产品的插入损耗值只有4.05左右。Ladder结构设计，在实现产品的窄带滤波的同时，保证了产品的带外抑制度能够达到65dB，相对带宽≤2.8％。

该产品的电性能指标如下：

以上所述，仅为本实用新型较佳的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。