[实用新型]薄膜晶体管液晶显示器像素结构及液晶显示器

说明书

技术领域

本实用新型涉及液晶显示器技术领域，特别涉及一种薄膜晶体管液晶显示器像素结构及液晶显示器。 

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器（Thin Film Transistor–Liquid Crystal Dislay，TFT-LCD）因其体积小、重量轻、功耗低且无辐射等优点在目前的平板显示器市场占据了主导地位。TFT-LCD显示屏是由阵列基板和彩膜基板对盒，其间抽真空后封灌液晶材料，这样，TFT-LC显示屏形成几十万到上百万的像素阵列，每个像素通过TFT的控制来显示图形。 

目前，ADS由于具有广视角的优点已被广泛应用。ADS是ADSDS（ADvanced Super Dimension Switch）的简称，即高级超维场转换技术，通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场开关技术可以提高TFT-LCD产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹（push Mura）等优点。 

通常ADS模式的TFT-LCD的像素结构如图1所示，包括：栅线10，数据线20，薄膜晶体管30，像素电极40（即为狭缝状电极），以及公共电极50（即为板状电极）。其中，薄膜晶体管30位于栅线上方，且薄膜晶体管30的栅电极与栅线10连接，薄膜晶体管30的漏电极与数据线20连接，薄膜晶体管30的源电极与像素电极40连接；像素电极40，以及公共电极50位于栅线10与数据线20的交叉区域。公共电极50与像素电极40之间产生的液晶电场为多 维电场，方向是一致的。这种像素结构为一畴结构，即1-Domain结构。这种结构中，由于公共电极50与像素电极之间产生的液晶电场方向一致，导致了在一个亚像素中液晶分子偏转方向一致，造成了颜色的偏差。 

为解决上述色偏问题，目前ADS模式的TFT-LCD的像素结构采用2-Domain结构，参见图2，ADS模式的TFT-LCD的像素结构同样包括：栅线10，数据线20，薄膜晶体管30，像素电极40，以及公共电极50。与1-Domain结构的不同之处，公共电极50与像素电极40之间产生的液晶电场方向分为两畴，即公共电极50与像素电极40之间产生第一畴液晶电场方向以及第二畴液晶电场方向，第一畴液晶电场方向与第二畴液晶电场方向不一致。由于公共电极50与像素电极40之间产生的液晶电场方向分为两畴，这样液晶分子可在两个方向偏转，可以有效改善色偏问题。 

但是，由于在两畴的交界处液晶的偏转方向处于不均一的状态，在显示区域产生了暗区。 

可见，现有的2-Domain结构的ADS模式的TFT-LCD中易出现暗区，液晶显示器的画面质量还不是很好。 

实用新型内容

本实用新型实施例提供一种薄膜晶体管液晶显示器像素结构及液晶显示器，用以提高薄膜晶体管液晶显示器的画面质量。 

本实用新型实施例提供一种薄膜晶体管液晶显示器像素结构，包括：栅线，数据线，薄膜晶体管，像素电极，以及公共电极，其中， 

所述像素电极与所述公共电极之间产生的第一畴液晶电场，以及第二畴液晶电场分别位于所述栅线的两侧，其中，所述第一畴液晶电场的方向与所述第二畴液晶电场的方向之间的夹角大于0°且小于180°。 

本实用新型实施例提供一种薄膜晶体管液晶显示器，包括上述的像素结构。 

本实用新型实施例中，TFT-LCD像素结构中的栅线位于两畴交界处，即栅线的一侧的第一畴液晶电场的方向，与栅线的另一侧的第二畴液晶电场的方向不同，在该交界处上方有遮光作用的黑矩阵，这样，两畴交界处在显示屏上形成的暗区与栅线在显示屏上形成的暗区重叠，减少了TFT-LCD显示屏上的暗区面积，提高了2-Domain结构的透过率，同时提高了画面质量。 

附图说明

图1为现有技术中1-Domain像素结构的示意图 

图2为现有技术中2-Domain像素结构的示意图； 

图3为本实用新型实施例中像素结构的示意图； 

图4为本实用新型另一实施例中像素结构的示意图； 

图5为本实用新型具体实施例中像素结构制作流程图； 

图6为本实用新型具体实施例中像素结构的截面示意图。 

具体实施方式