[实用新型]一种半导体封装结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体封装技术领域，特别是一种半导体封装结构。 

背景技术

随着电子装置对轻薄短小的强烈需求及发展趋势，IC封装技术也为了配合高I/O数、高散热以及封装尺寸微型化的高标准要求，使得倒装芯片方式的封装型态需求持续升高。 

由于现有的倒装芯片封装结构中芯片与基板等结构材料的热膨胀系数差异性较大，使得倒装芯片封装结构在操作过程中易受热循环所产生的热力学应力影响，此热力学应力在由作为接点的锡球焊垫、焊接锡球与锡球焊垫吸收后，非常容易造成焊接点的失效、芯片龟裂以及芯片边缘边角处造成脱模等线性，进而影响倒装芯片封装结构的可靠性。 

现有技术中有采用焊接锡球间隙和芯片与基板间加入弹性材料如环氧树脂以增加热力学应力的吸收，并降低因热膨胀系数差异锁造成失效问题；也有采用基板与芯片利用弯折的焊接导线取代焊接锡球，并利用焊接导线的弯折处提供一回复力，用以吸收因热膨胀系数差异锁差生的热力学应力，但都存在着不同的缺点和不足。 

因此，现有技术有待于改进和提高。 

发明内容

为解决现有技术中的上述问题，本实用新型的目的是提供一种解决因热膨胀系数差异而导致脱模等影响可靠性的半导体封装结构。 

本实用新型是采用下述技术方案来达到上述目的的：一种半导体封装结构，包括半导体芯片、第一基板、第二基板和芯片支架，所述的第一基板上表面设有半导体芯片，一电连接区和一非电连接区，该电连接区下方设有多个第一基板焊垫；该多个第一基板焊垫通过多个中间弹性导电元件连接对应于多个第一基板焊垫设置在第二基板上的第二基板焊垫；所述的第二基板焊垫上还设有一由绝缘材料制成的芯片支架，该芯片支架通过黏着层连接对应于第一基板的非电连接区，并用于支撑第一基板；所述的第一基板与第二基板之间填充有吸湿材料；所述的第二基板的下表面还设有一提供对外信号输入或输出的球栅阵列。 

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：由于采用上述技术方案锁提供的半导体封装结构，利用多个中间弹性导电元件所具有的回复力吸收操作过程中所产生的热力学应力，在不影响半导体封装结构I/O脚数与密度设计的前提下，达到避免因热膨胀系数差异造成的焊接点失效、芯片龟裂、以及脱模等影响半导体封装结构可靠性的问题。本实用新型构思新颖、设计合理，具有广泛的市场价值和巨大的市场潜力。 

附图说明

附图1为本实用新型一种半导体封装结构结构示意图。 

图中各标号分别是：（1）半导体芯片，（2）第一基板，（3）第二基板，（4）第一基板焊垫，（5）中间弹性导电元件，（6）第二基板焊垫，（7）芯片支架，（8）黏着层，（9）吸湿材料，（10）球栅阵列。 

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型作进一步的详细说明： 

参看图1，本实用新型一种半导体封装结构，包括半导体芯片1、第一基板2、第二基板3和芯片支架7，所述的第一基板2上表面设有半导体芯片1，一电连接区和一非电连接区，该电连接区下方设有多个第一基板焊垫4；该多个第一基板焊垫4通过多个中间弹性导电元件5连接对应于多个第一基板焊垫4设置在第二基板上3的第二基板焊垫6；所述的第二基板焊垫6还设有一由绝缘材料制成的芯片支架7，该芯片支架7通过黏着层8连接对应于第一基板2的非电连接区，并用于支撑第一基板2；所述的第一基板2与第二基板3之间填充有吸湿材料9；所述的第二基板2的下表面还设有一提供对外信号输入或输出的球栅阵列10。

以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例而已，并非对本实用新型作任何形式上的限制，任何熟悉本专业的技术人员可能利用上述揭示的技术内容加以变更或修饰为等同变化的等效实施例，但是凡未脱离本实用新型技术方案内容，依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本实用新型技术方案的范围内。