[实用新型]半导体晶片气蚀装置

权利要求书

1.一种半导体晶片气蚀装置，其特征在于：设有基座(1)和气蚀罩(2)，所述气蚀罩位于所述基座上方，所述气蚀罩能够罩于所述基座上构成密闭空间(3)，所述基座上设有晶片定位座(4)，所述气蚀罩上开设有进气孔(5)，所述进气孔与所述密闭空间相通，所述基座上开设有若干出气孔(6)，所述出气孔与所述密闭空间相通。

2.根据权利要求1所述的半导体晶片气蚀装置，其特征在于：所述晶片定位座中心开设有真空吸气口(7)，所述真空吸气口连接吸真空装置。

3.根据权利要求1所述的半导体晶片气蚀装置，其特征在于：设有导流块(8)，所述导流块由位于上部的连接段和位于下部的喷气段一体构成，所述导流块的连接段连接于所述气蚀罩的进气孔下端，且所述导流块的连接段的上端开设有气体进孔，所述导流块的气体进孔与所述气蚀罩的进气孔相通，所述导流块的喷气段位于所述密闭空间内并位于所述晶片定位座上方，且所述喷气段的底面和侧面两者至少之一上开设有若干喷气孔，所有喷气孔皆与所述气体进孔相通。

4.根据权利要求1所述的半导体晶片气蚀装置，其特征在于：设有用于升降气蚀罩的升降装置，所述气蚀罩与所述升降装置连接。

5.根据权利要求1所述的半导体晶片气蚀装置，其特征在于：所述气蚀罩的下端嵌有氟橡胶密封圈(10)。

6.根据权利要求1所述的半导体晶片气蚀装置，其特征在于：所述基座的上表面凹设有定位坑，所述晶片定位座下端嵌于所述定位坑中。

7.根据权利要求1所述的半导体晶片气蚀装置，其特征在于：所述气蚀罩为聚丙烯气蚀罩，所述基座为陶瓷板，还设有用于支撑所述陶瓷板的支架(16)，所述陶瓷板固定于所述支架上端，所述晶片定位座为陶瓷定位座。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体晶片气蚀装置，其特征在于：设有用于提升蚀刻温度的加热装置。

9.根据权利要求8所述的半导体晶片气蚀装置，其特征在于：所述基座的下表面固定有抽气罩(11)，所述抽气罩罩住基座上的若干所述出气孔，所述抽气罩的下端中心开设有抽气孔(12)，所述加热装置为覆盖于所述基座的下表面上的加热垫(13)。

10.根据权利要求8所述的半导体晶片气蚀装置，其特征在于：所述加热装置为插于所述晶片定位座中的若干加热棒(14)，所述若干加热棒上部插于所述晶片定位座内且其下部穿出所述基座，若干所述出气孔分布于所述晶片定位座周围，设有环形气罩(15)，所述环形气罩位于所述加热棒外围且罩住若干所述出气孔，所述环形气罩下端开设有至少一个抽气孔(12)。