[实用新型]一种MOSFET开关元件的电流采样电路

权利要求书

1.一种MOSFET开关元件的电流采样电路，其特征在于，包括MOSFET开关元件和采样模块：

所述的MOSFET开关元件为P沟道MOSFET开关元件，所述开关元件的第一端和采样模块的第一输入端相连，并作为电流输入信号端，所述开关元件的第二端和采样模块的第二输入端相连，并作为MOSFET开关元件电流输出信号端，所述采样模块的输出端作为MOSFET开关元件的电流采样电路的采样电流输出信号端，所述采样模块直接采样MOSFET开关元件的第一端和第二端的电压差，所述采样模块的第一输入端和第二输入端之间可允许的最大电压差值为采样模块两个输入端之间的耐压值；

所述采样模块包括钳位模块，所述钳位模块增加采样模块第一输入端和第二输入端之间的耐压值，阻断从采样模块的第一输入端端到第二输入端之间形成电流通路，提高MOSFET开关元件的电流采样电路的工作电压范围。

2.如权利要求1所述的MOSFET开关元件的电流采样电路，其特征在于，

所述MOSFET开关元件为P沟道第一MOS管M1，MOSFET开关元件的第一端为源端，MOSFET开关元件的第二端为漏端，第一MOS管M1的源端和衬底连接采样模块的第一输入端，并作为电流输入信号端，第一MOS管M1的漏端连接采样模块的第二输入端且作为第MOSFET开关元件电流输出信号端，第一MOS管M1的栅端输入栅极控制信号；

所述采样模块包括N个串联的第一二极管D1、N个串联的第二二极管D2组成的钳位模块、第一电阻R1、第二电阻R2，第三PMOS管M3、第四PMOS管M4、第一恒流源I13、第二恒流源I14；

N个串联的第一二极管D1的正向端和第一MOS管M1的源端和衬底相连，并作为电流输入信号端，N个串联的第二二极管D2的正向端和第一MOS管M1的漏端相连，并作为MOSFET开关元件电流输出信号端，N个串联的第一二极管D1的反向端和第一电阻R1的一端相连，N个串联的第二二极管D2的反向端和第二电阻R2的一端相连，第一电阻R1的另一端和第三PMOS管M3的源端和衬底相连并作为采样电流输出信号端；第二电阻R2的另一端和第四PMOS管M4的源端、衬底端相连，第三MOS管M3的漏端、第三MOS管M3的栅极、第四MOS管M4的栅极和第一恒流源I13相连，第四MOS管M4的漏端和第二恒流源I14相连。

3.如权利要求2所述的MOSFET开关元件的电流采样电路，其特征在于，所述采样模块的第一输入端和第二输入端之间最大可允许的电压差值为VDSMAX2：

VDSMAX2=VMAX1+（I13+I15）×R1+ I14×R2+N×VF1+ N×VD2= VMAX1+2×I13×R1+  I15×R1+ N×VF1+ N×VD1其中：

VMAX1为第三MOS管M3的源漏、衬底端，和第四MOS管M4的源漏、衬底端之间可承受的耐压；

I13为第一恒流源；

I14为第二恒流源；

I15为采样电流；

R1为第一电阻；

R2为第二电阻；

VF1为第一二极管D1正向压降；

VD1为第一二极管D1反向击穿电压；

VD2第二二极管D2的反向击穿电压；

N为等于或者大于1的正整数。

4.如权利要求2或3所述的MOSFET开关元件的电流采样电路，其特征在于，所述N为1。

5.如权利要求2或3所述的MOSFET开关元件的电流采样电路，其特征在于，所述N为3。