[实用新型]一种硅通孔结构有效
| 申请号： | 201120491936.0 | 申请日： | 2011-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN202332839U | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 汪学方;王宇哲;徐明海 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 硅通孔 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅通孔结构，其特征在于，包括半导体衬底和贯穿所述半导体衬底的具有台阶的通孔，所述台阶通孔侧壁依次沉积有绝缘层、粘附层、阻挡层，通孔内填充有金属导体，半导体衬底表面上还依次沉积有由绝缘层、粘附层、阻挡层、导电层沉积构成的互连结构，互连结构中的导电层与金属导体相连接。
2.如权利要求1所述的硅通孔结构，其特征在于，还包括与所述的金属导体表面相连的焊盘或/和焊球。
3.如权利要求2所述的具有台阶的硅通孔结构，其特征在于，所述焊盘或/和焊球与金属导体垂直相连。
4.如权利要求2所述的硅通孔结构，其特征在于，所述焊盘或/和焊球与填充导体不垂直相连。
5.如权利要求2或3或4所述的硅通孔结构，其特征在于，所述焊盘或/和焊球采用铜、钨、铝中的任意一种。
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