[实用新型]小型化的低通带可调的双通带带通滤波器有效
申请号: | 201120492603.X | 申请日: | 2011-12-01 |
公开(公告)号: | CN202373678U | 公开(公告)日: | 2012-08-08 |
发明(设计)人: | 章秀银;高立 | 申请(专利权)人: | 华南理工大学 |
主分类号: | H01P1/203 | 分类号: | H01P1/203 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 何淑珍 |
地址: | 510640 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 小型化 低通带 可调 双通带 带通滤波器 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种双通带带通滤波器,特别是涉及一种低通带可调的,体积较小的,可应用于射频前端电路中的双通带带通滤波器。
背景技术
当今社会,随着无线通信的发展,低成本、高性能的可重构射频子系统的设计成为热点问题。可重构通信系统对于能够覆盖较大频率范围的可调滤波器有着极为迫切的需求。
目前许多研究者已经将许多种不同的调节器件用于可调带通滤波器的设计,其中有几种典型的方法。第一种方法是通过变容二极管来改变谐振器的长度从而改变谐振频率,如J. Long and C. Z. Li, “A tunable microstrip bandpass filter with two independently adjustable transmission zeros,” IEEE Microw. Wireless Compon. Lett., vol.21, no.2, pp.74-76, Feb. 2010.5。第二种方法是采用PIN二极管结构来设计可调带通滤波器,如G. L. Dai and M. Y. Xia, “Design of compact dual-band switchable bandpass filter,” Electronics Letters, vol.45, no.10, pp.506-507, May. 2009。第三种方法是采用铁氧体元件设计可调滤波器,如M. Norling, D. Kuylenstierna, A. Vorobiev, and S. Gevorgian, “Layout optimization of small-size ferroelectric parallel-plate varactors,” IEEE Trans. Microw. Theory Tech., vol.58, no.6, pp.1475-1484, June. 2010。本实用新型采用的是第一种方法——利用变容二极管改变谐振频率。
现阶段,单通带可调滤波器已经引起了很多的关注。如V. Sekar, M. Armendariz, and K. Entesari, “A 1.2–1.6 GHz substrate-integrated-waveguide RF MEMS tunable filter,” IEEE Trans. Microw. Theory Tech., vol.59, no.4, pp. 866–876, Apr. 2010.5。但是他只有一个通带。为了进一步优化单通带可调滤波器的性能,国内研究者采用集总元件抑制通带的谐波。如X. Y. Zhang and Q. Xue, “High-selectivity tunable bandpass filters with harmonic suppression,” IEEE Trans. Microw. Theory Tech., vol.58, no.4, pp.964-969, Apr. 2010。虽然他也有两个通带,但是是高通可调。目前研究中,也有双通带中低通带可调的,但是大部分是用两套谐振器来实现的,不可避免地造成了体积过大。为了解决这个问题,本实用新型提供一种新的方法来实现双通带中低通带可调的滤波器。
实用新型内容
本实用新型的目的在于克服现有技术存在的上述不足,提供一种小型化的低通带可调的双通带带通滤波器。
为实现本实用新型目的,本实用新型所采用的技术方案如下:
小型化的低通带可调的双通带带通滤波器,包括上层微带结构、中间层介质基板和下层接地金属板;上层微带结构附着在中间层介质基板上表面,下层接地金属板附着在中间层介质基板下表面;其特征在于:上层微带结构包括两条馈电线和两个谐振器;两个谐振器呈中心对称,并且结构相同,谐振器工作在低通带时等效为四分之一波长谐振器,工作在高通带时等效为半波长谐振器。所述滤波器的其中一条馈电线在输入端口处分成两路,一路直接与一个谐振器相连馈电,另一路与该谐振器的一条边平行耦合;另外一条馈电线在输出端口处分成两路,一路直接与另一个谐振器相连馈电,另一路与该谐振器的一条边平行耦合。
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