[实用新型]单台面双向触发二极管芯片

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种半导体分立器件，具体地说是一种单台面双向触发二极管芯片。

背景技术

现有双向触发二极管芯片最常用的结构为：一是在硅基片上进行双面扩散形成两结三层的双台面结构；二是采用平面工艺制作平面型结构。但前者的缺陷是：因特性需要两PN结距离为30～50微米左右，在双台面的形成过程中破片率较高，而且双台面结构无法完成自动中测、全自动作业等过程；后者的缺陷是制造成本较高。

发明内容

本实用新型的目的是提供一种结构合理，制造工艺简单，可实现全自动测试作业的单台面双向触发二极管芯片。

为达到上述目的，本实用新型是通过以下技术方案实现的：单台面双向触发二极管芯片，包括硅基片，在硅基片上制作有第一PN结和第二PN结的一侧的两边开有斜向侧壁，第一PN结和第二PN结二端均裸露在斜向侧壁上，形成单面凸台，芯片沿纵向分为第一区域、第二区域和第三区域，其中第一区域最高杂质浓度C1为：8.5e17～3.0e20，第二区域最高杂质浓度C2为：5.0e14～9.5e16，第三区域最高杂质浓度C3为：2.0e17～4.5e19，第一PN结和第二PN结间距为20～60微米，在凸台的斜向侧壁上设有钝化层，钝化层包封第一PN结和第二PN结，在凸台的台面和硅基片底面设有金属层。

所述的单台面双向触发二极管芯片，其钝化层为玻璃或CVD沉积膜。

本实用新型由于采用了上述技术方案，与现有技术相比具有以下优点：（一）是本芯片只须进行单面光刻、腐蚀，操作简单，台面工艺容易实现；（二）是解决了双台面芯片无法进行全自动中测的问题，对于双台面芯片，在进行中测时须分两次进行，但本单台面芯片只须设置极性转换和测试时间即能在不翻面的情况下完成自动中测；（三）是可实现全自动作业：对于双台面晶圆测试时分面进行测试、打点，当机械手取料时，位于晶粒背面的打点图形无法被机器识别，因此双台面晶圆无法实现全自动作业。对于本实用新型由于测试、打点均可在一面完成，因此可以实现全自动作业。

附图说明

图1是本实用新型单台面双向触发二极管芯片沿纵向分布的浓度示意图。

图2是本实用新型NPN型单台面双向触发二极管芯片的结构示意图。

图3是本实用新型单台面双向触发二极管芯片的电性曲线图。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型的实施例作进一步详细的描述。

如图2所示，单台面双向触发二极管芯片，包括硅基片1，在硅基片1上制作有第一PN结6和第二PN结4的一侧的两边开有斜向侧壁8，第一PN结6和第二PN结4二端均裸露在斜向侧壁8上，形成单面凸台11，芯片沿纵向分为第一区域3、第二区域5和第三区域7，第一区域3最高杂质浓度C1为2.0e20，第二区域5最高杂质浓度C2为8.5e16，第三区域7最高杂质浓度C3为5.4e19，第一PN结6和第二PN结4间距10为40微米，在凸台（11）的斜向侧壁8上设有钝化层9，钝化层9包封第一PN结6和第二PN结4，在凸台11的台面2和硅基片1底面设有金属层12，钝化层9为玻璃或CVD沉积膜。

以上对本实用新型作了详细说明，不能认为本实用新型的保护范围仅局限于上述实施方式。如果与本实用新型权利要求的技术方案没有产生本质上的区别，对上述实施方式的推演或替换仍然被视为在本实用新型的保护范围之内。