[实用新型]具有半导体激光理疗功能的手机有效
申请号: | 201120502131.1 | 申请日: | 2011-12-06 |
公开(公告)号: | CN202334652U | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 闫善玉 | 申请(专利权)人: | 闫善玉 |
主分类号: | H04M1/21 | 分类号: | H04M1/21;A61N5/067 |
代理公司: | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人: | 张宏威 |
地址: | 150001 黑龙江省哈尔滨*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 半导体 激光 理疗 功能 手机 | ||
1.具有半导体激光理疗功能的手机,其特征在于它由手机端部件和半导体激光发射端部件组成;所述手机端部件集成设置在手机本体内部;所述手机端部件由开关模块(7)、半导体激光模组(8)和供电插孔(9)组成;所述开关模块(7)的开关控制信号输入端与手机本体的控制器(5)的开关控制信号输出端相连;所述开关模块(7)的供电电压输入端与手机本体的供电电源(6)的供电电压输出端相连,所述开关模块(7)的供电电压输出端与半导体激光模组(8)的供电电压输入端相连,半导体激光模组(8)的供电电压输出端与供电插孔(9)的供电电压输入端相连;所述半导体激光模组(8)的调节控制信号输入端与手机本体的控制器(5)的调节控制信号输出端相连;所述半导体激光发射端部件包括圆柱形壳体(1)、半导体激光管(2)和供电插头(4);所述半导体激光管(2)嵌装在圆柱形壳体(1)的一侧端面上;所述半导体激光管(2)的激光发射端朝向圆柱形壳体(1)的外侧;所述供电插头(4)通过线缆与半导体激光管(2)的供电端相连;所述半导体激光发射端部件通过供电插头(4)与供电插孔(9)的插接与手机端部件连接为一体,所述半导体激光发射端部件与手机本体分离放置。
2.根据权利要求1所述的具有半导体激光理疗功能的手机,其特征在于所述半导体激光发射端部件还包括防滑护套(3),所述防滑护套(3)套装在圆柱形壳体(1)上。
3.根据权利要求1或2所述的具有半导体激光理疗功能的手机,其特征在于所述半导体激光模组(8)由第一电阻(R1)至第三电阻(R3)、第一三极管(Q1)、第二三极管(Q2)、第一电容(C1)、第四滑动变阻器(R4)和单刀双掷开关(K)组成;所述第一三极管(Q1)和第二三极管(Q2)均采用NPN型三极管;所述第一电阻(R1)的一端同时与第一电容(C1)的一端和单刀双掷开关(K)的不动端相连;第一电阻(R1)的另一端同时与第一三极管(Q1)的基极和第二三极管(Q2)的集电极相连;第一三极管(Q1)的集电极与单刀双掷开关(K)的第二动端(LD)相连;第一三极管(Q1)的发射极与第三电阻(R3)的一端相连;所述第三电阻(R3)的另一端同时与第二三极管(Q2)的发射极、第一电容(C1)的另一端和第四滑动变阻器(R4)的一个固定端相连;第四滑动变阻器(R4)的另一个固定端同时与第二电阻(R2)的一端和第四滑动变阻器(R4)的滑动端相连;第二电阻(R2)的另一端同时与第二三极管(Q2)的基极和单刀双掷开关(K)的第一动端(PD)相连;所述第一电阻(R1)的一端即为半导体激光模组(8)的电源VCC端;所述第一电容(C1)的另一端即为半导体激光模组(8)的电源地GND端。
4.具有半导体激光理疗功能的手机,其特征在于它由手机端部件和半导体激光发射端部件组成;所述手机端部件集成设置在手机本体内部;所述手机端部件由开关模块(7)和半导体激光模组(8)组成;所述开关模块(7)的开关控制信号输入端与手机本体的控制器(5)的开关控制信号输出端相连;所述开关模块(7)的供电电压输入端与手机本体的供电电源(6)的供电电压输出端相连,所述开关模块(7)的供电电压输出端与半导体激光模组(8)的供电电压输入端相连,所述半导体激光模组(8)的调节控制信号输入端与手机本体的控制器(5)的调节控制信号输出端相连;所述半导体激光发射端部件包括圆柱形壳体(1)和半导体激光管(2);所述半导体激光管(2)嵌装在圆柱形壳体(1)的一侧端面上;所述半导体激光管(2)的激光发射端朝向圆柱形壳体(1)的外侧;所述半导体激光管(2)的供电电压输入端通过线缆与半导体激光模组(8)的供电电压输出端相连;所述手机本体内部设置有半导体激光发射端部件插槽(10),所述半导体激光发射端部件通过所述半导体激光发射端部件插槽(10)插装在手机本体内部。
5.根据权利要求4所述的具有半导体激光理疗功能的手机,其特征在于所述半导体激光发射端部件还包括防滑护套(3),所述防滑护套(3)套装在圆柱形壳体(1)上。
6.根据权利要求4或5所述的具有半导体激光理疗功能的手机,其特征在于所述半导体激光模组(8)由第一电阻(R1)至第三电阻(R3)、第一三极管(Q1)、第二三极管(Q2)、第一电容(C1)、第四滑动变阻器(R4)和单刀双掷开关(K)组成;所述第一三极管(Q1)和第二三极管(Q2)均采用NPN型三极管;所述第一电阻(R1)的一端同时与第一电容(C1)的一端和单刀双掷开关(K)的不动端相连;第一电阻(R1)的另一端同时与第一三极管(Q1)的基极和第二三极管(Q2)的集电极相连;第一三极管(Q1)的集电极与单刀双掷开关(K)的第二动端(LD)相连;第一三极管(Q1)的发射极与第三电阻(R3)的一端相连;所述第三电阻(R3)的另一端同时与第二三极管(Q2)的发射极、第一电容(C1)的另一端和第四滑动变阻器(R4)的一个固定端相连;第四滑动变阻器(R4)的另一个固定端同时与第二电阻(R2)的一端和第四滑动变阻器(R4)的滑动端相连;第二电阻(R2)的另一端同时与第二三极管(Q2)的基极和单刀双掷开关(K)的第一动端(PD)相连;所述第一电阻(R1)的一端即为半导体激光模组(8)的电源VCC端;所述第一电容(C1)的另一端即为半导体激光模组(8)的电源地GND端。
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