[实用新型]准单晶硅片外观测量装置有效
| 申请号： | 201120503109.9 | 申请日： | 2011-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN202339326U | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 钱峰;魏青竹;孙利国;任军林;陆俊宇;汪燕玲 | 申请（专利权）人： | 中利腾晖光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/95 | 分类号： | G01N21/95;G01B11/28 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215542 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 单晶硅 外观 测量 装置 | ||
【权利要求书】：
1.准单晶硅片外观测量装置，包括有基底层，其特征在于：所述的基底层为透明菲林底片，所述的透明菲林底片上等距离纵横分布有基准参考线，所述的基准参考线之间构成阵列式网格。
2.根据权利要求1所述的准单晶硅片外观测量装置，其特征在于：所述的基底层外围设置有固定边框，所述固定边框上绘制有定位参考线。
3.根据权利要求1所述的准单晶硅片外观测量装置，其特征在于：所述基准参考线的线宽为10μm至156μm。
4.根据权利要求3所述的准单晶硅片外观测量装置，其特征在于：所述基准参考线的线宽为30μm。
5.根据权利要求1所述的准单晶硅片外观测量装置，其特征在于：所述透明菲林底片的厚度为5μm至200μm。
6.根据权利要求5所述的准单晶硅片外观测量装置，其特征在于：所述透明菲林底片的厚度为40μm。
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