[实用新型]热熔断装置

权利要求书

1.一种热熔断装置，包括：

壳体，所述壳体具有纵向轴线；

第一导电导线，所述第一导电导线设置于所述壳体的第一端，并且沿所述纵向轴线的方向从所述壳体延伸；

热响应块，所述热响应块容置在所述壳体内，所述块包括非导电有机化合物，当所述热熔断装置的工作温度满足或超过阈值温度时，所述块从固体物理状态转变至液体或气体物理状态，所述块具有沿所述纵向轴线的方向测量的高度；

第二导电导线，所述第二导电导线设置于所述壳体的第二端，并且沿所述纵向轴线的方向从所述壳体延伸；

导电接触器，所述导电接触器设置在所述块与所述第二导线之间；

第一偏置构件，所述第一偏置构件设置在所述块与所述接触器之间，所述第一偏置构件在沿所述纵向轴线朝向所述第二导线的方向上偏置所述接触器；和

第二偏置构件，所述第二偏置构件设置在所述接触器与所述壳体的所述第二端之间，所述第二偏置构件在沿所述纵向轴线背离于所述第二导线的方向上偏置所述接触器；

其中，当所述块处于固体物理状态时，所述块对抗所述第一偏置构件和所述第二偏置构件的偏置，以使所述接触器接合所述第二导线，并且，当所述块从固体物理状态转变至液体或气体物理状态时，所述块不再对抗所述第一偏置构件和所述第二偏置构件的偏置，从而使得所述偏置构件松弛而导致所述接触器离开所述第二导线；并且

其中，所述块的高度的值小于所述第一导线与所述接触器之间的距离的50％。

2.如权利要求1所述的热熔断装置，其中，所述块的高度小于所述第一导线与所述接触器之间的距离的45％。

3.如权利要求1所述的热熔断装置，其中，所述块的高度为所述第一导线与所述接触器之间的距离的约43％。

4.如权利要求1所述的热熔断装置，其中，所述接触器是星状接触器。

5.如权利要求1所述的热熔断装置，其中，所述接触器包括星状接触器和浮动接触器。

6.如权利要求4所述的热熔断装置，其中，所述块的高度小于所述第一导线与所述第二导线之间的距离的27％。

7.如权利要求5所述的热熔断装置，其中，所述块的高度小于所述第一导线与所述第二导线之间的距离的25％。

8.如权利要求6所述的热熔断装置，其中，所述块的高度为所述第一导线与所述第二导线之间的距离的约23％。

9.如权利要求1所述的热熔断装置，其中，所述块的高度小于0.1英寸。

10.如权利要求8所述的热熔断装置，其中，所述块的高度小于0.09英寸。

11.如权利要求9所述的热熔断装置，其中，所述块的高度为约0.08英寸。

12.如权利要求1所述的热熔断装置，进一步包括：

第一盘状件，所述第一盘状件设置在所述块与所述第一偏置构件之间，所述第一盘状件具有大于0.005英寸的第一厚度；和

第二盘状件，所述第二盘状件设置在所述第一偏置构件与所述接触器之间，所述第二盘状件具有大于0.007英寸的第二厚度。

13.如权利要求12所述的热熔断装置，其中，所述第二厚度等于所述第一厚度。

14.如权利要求13所述的热熔断装置，其中，所述第一厚度大于或等于0.015英寸。

15.如权利要求14所述的热熔断装置，其中，所述第一厚度为约0.016英寸。

16.如权利要求1所述的热熔断装置，其中，所述热熔断装置的最大暴露温度大于380℃。

17.如权利要求16所述的热熔断装置，其中，所述热熔断装置的所述最大暴露温度为约410℃。