[实用新型]太阳能电池片有效
申请号: | 201120506959.4 | 申请日: | 2011-12-08 |
公开(公告)号: | CN202332889U | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 何初元;邵林伟 | 申请(专利权)人: | 浙江旭辉光电科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042 |
代理公司: | 浙江永鼎律师事务所 33233 | 代理人: | 王梨华;陈丽霞 |
地址: | 314415 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 | ||
技术领域
本实用新型涉及太阳能技术领域 ,尤其涉及太阳能电池片。
背景技术
太阳能电池片的制作工艺大体分为制绒、扩散、刻蚀、去磷硅玻璃、镀减反射膜、丝网印刷、烧结等几个步骤。目前在太阳能电池片生产的过程中不可避免的会在烧结过后产生低效片,低效片一般都存放在仓库或按废品出售,这样造成了浪费和成本的提高。一般生产出来的太阳能电池片中的低效片就占0.1%左右,低效片是指一般功率(Pmpp)都在1.8w以下、转换效率(NCell)在12%以下的电池片,如果经过重新处理把功率在1.8W以下的低效片变成正常的电池片,这样将在一定程度上降低了成本。
发明内容
本实用新型针对现有技术中的不足,提供了一种降低成本、减少资源浪费的太阳能电池片。
为了解决上述技术问题,本实用新型通过下述技术方案得以解决。
太阳能电池片,包括PN结,PN结两侧分别设有背铝层和氮化硅薄膜,背铝层上设有背银层,氮化硅薄膜上印刷有正银层。
按照本实用新型的技术方案,针对有缺陷和不均匀的PN结的硅片,经过重新烧结,制成符合质量标准的太阳能电池片,在不影响外观的基础上大大的改善了低效片的质量,提高了电池片的成品率,减少了不必要的浪费,节约了资源,降低了成本。
附图说明
图1 为本实用新型的结构示意图。
其中,1:背铝层,2:背银层,3:PN结,4:氮化硅薄膜,5:正银层。
具体实施方式
下面结合附图与具体实施方式对本实用新型作进一步详细描述。
太阳能电池片,包括背铝层1、背银层2、PN结3、氮化硅薄膜4和正银层5,
PN结3两侧分别设有背铝层1和氮化硅薄膜4,背铝层1上设有背银层2,正银层5印刷在氮化硅薄膜4上。
太阳能电池片的制作工艺大体分为制绒、扩散、刻蚀、去磷硅玻璃、镀减反射膜、丝网印刷、烧结。烧结的目的就是挥发浆料中的有机成分,形成良好的欧姆接触;但是浆料在烧结过程中,有缺陷和不均匀的PN结硅片不能很好的形成共晶结构和欧姆接触,此时的串联电阻就会相对应的变大,并联电阻变小,不能实现上下电极的横向结,减少了少数载流子空穴在此电极区域的复合,不能有效的改善光生载流子的收集效率。
针对这些有缺陷和不均匀的PN结的硅片,在烧结炉内,在原始工艺基础上烧结区温度各降5℃,烧结区上下灯管的输出功率降低30%,带速增加百分之5%,因为硅片已经进行过烧结,只有降低灯管输出功率来减少热量和增加传送带速带走一部分热量(温度过低铝硅共结晶不能很好的接触,过高会破坏现有的共晶结构),才能保护共结晶的PN结不被破坏以及烧穿,提高重烧结的质量。
烧结时使用硅片做衬底,背铝层面朝上进一步隔热,避免热量过大和背铝层与网带的摩擦造成铝包,提高成品的数量。
总之,以上所述仅为本实用新型的较佳实施例,凡依本实用新型申请专利范围所作的均等变化与修饰,皆应属本实用新型专利的涵盖范围。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的