[实用新型]硬磁材料温度特性检测装置有效

专利信息
申请号: 201120507422.X 申请日: 2011-12-08
公开(公告)号: CN202362442U 公开(公告)日: 2012-08-01
发明(设计)人: 林安利;范雯;贺建;张志高;侯瑞芬;王京平;李晓菊;胡晓荣;戴璐;孙安路 申请(专利权)人: 中国计量科学研究院
主分类号: G01R33/12 分类号: G01R33/12
代理公司: 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 代理人: 杨立
地址: 100013 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 硬磁材料 温度 特性 检测 装置
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及磁性材料特性测量装置,尤其涉及硬磁材料温度特性检测装置,属于测量领域。

背景技术

永磁材料具有能量转换功能,可以将机械能与电磁能相互转换。利用其能量转换功能和磁的各种物理效应(如磁共振效应、磁力学效应、磁光效应等)可将永磁材料做成多种形式的永磁功能器件。这些功能器件已成为计算机、网络信息、通讯、航空航天、能源、交通、医疗、办公自动化、家电等高技术领域的核心功能器件。永磁材料以其广泛的技术基础和应用背景,正日益成为社会发展中重要的物质基础之一。

烧结钕铁硼是人类目前使用的磁性能最强的永磁体,它具有很高磁能积和超高的内禀矫顽力,是制造效能高、体积小、重量轻的工业磁性功能器件的理想材料,在现代高新技术领域起着举足轻重的作用。其不足之处是磁性随温度的变化改变较大,其剩磁和矫顽力的温度系数分别达到了0.1%和0.6%以上。

近年来,随着稀土永磁材料应用领域的扩展和在信息技术、风力发电、混合动力汽车、精密电机和防爆电机等高技术领域应用的深入,人们对磁性材料的高温磁性能的稳定性问题(如高温退磁曲线、温度系数、最大工作温度、不可逆损失等的测量)重视程度不断提高。航天器、卫星、导弹、核潜艇等国防领域则明确要求稀土永磁体在不同温度下各项磁性能的准确数值。用永磁材料制造的设备和器件一般需要在恒定的稳态下工作,然而在一些使用领域中,环境温度有可能处在极端的情况。在风力发电机组内部,气温变化范围在-40℃~150℃;宇航飞行器的气温变化范围可达-60℃~200℃;早在2000年,美国国防部提出了最高使用温度大于450℃的永磁材料的需求,这些材料主要应用于新一代飞行器的发动机系统,以及用电子元器件替代原有的液压传动系统,以提高飞行器的可靠性和降低飞行器的维护难度。磁性器件的设计要求永磁材料提供已知的温度特性。现实的需求推动了研究的发展,从1996年至今(主要在美国)出现了高温磁体的研究热潮,如何改善稀土永磁材料的温度稳定性已经成为材料制造者和使用者关注的问题之一。

实用新型内容

本实用新型针对现有技术的不足,提供可以测量硬磁材料在高温下的各种特性的硬磁材料温度特性检测装置。

本实用新型解决上述技术问题的技术方案如下:硬磁材料温度特性检测装置,包括控制和数据处理单元、磁场和磁感测量单元、温度控制单元和磁化单元,所述控制和数据处理单元接收磁场和磁感测量单元传输的数据,所述磁化单元接收控制和数据处理单元传输的数据,所述磁化单元与温度控制单元相连接。

本实用新型的有益效果是:本实用新型所述的硬磁材料温度特性检测装置,能够在闭磁路的条件下测量从室温到500℃的样品的高温磁特性,不仅用于钕铁硼磁体,更可用于具有较低温度系数和较高居里温度地SmCo5系、Sm2Co17磁体,解决了高温下稀土永磁材料磁特性的测量问题。

在上述技术方案的基础上,本实用新型还可以做如下改进。

进一步,所述控制和数据处理单元包括依次连接的计算机和打印机。

进一步,所述磁场和磁感测量单元包括J积分器和H积分器、J线圈和H线圈、模数转换卡,所述模数转换卡与计算机数据连接,所述J线圈和H线圈分别通过J积分器和H积分器与模数转换卡相连接。

进一步,所述磁化单元包括依次连接的数模转化卡、励磁电源和电磁铁,所述励磁电源通过数模转化卡与计算机相连接。

进一步,所述电磁铁包括对称分布的两个磁轭、对称分布的两个加热极头、两个极柱和四个磁化绕组,所述两个极柱分别与加热极头相连接,所述磁化绕组缠绕与极柱外部并位于磁轭内部。

进一步,所述电磁铁冷却单元包括相互连接的电磁铁冷却水循环管和电磁铁冷却水循环机,所述电磁铁冷却水循环管设于磁轭内部磁化绕组之间和两侧,所述电磁铁冷却水循环机设于电磁铁外部。

进一步,所述温度控制单元包括控温仪、测温仪、电加热单元和线圈温度控制单元,所述控温仪与电加热单元、测温仪相连接,所述测温仪设于电磁铁极头内部,所述线圈温度控制单元包括相互连接的线圈冷却水循环管和线圈冷却水循环机,所述线圈冷却水循环管设于J线圈和H线圈内部,所述线圈冷却水循环机设于线圈外部。

进一步,所述冷却循环单元为冷却水循环单元。

进一步,所述电磁铁冷却单元为冷却水循环单元。

附图说明

图1为本实用新型所述的装置的剖面图;

图2为本实用新型所述的装置的磁场和磁感测量单元结构图;

图3为本实用新型所述的装置的温度控制单元结构图;

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