[实用新型]一种屏蔽帽有效
| 申请号： | 201120508125.7 | 申请日： | 2011-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN202476027U | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 陈锦龙;张明明;张定雄;饶喜梅;康树峰 | 申请（专利权）人： | 深圳市沃尔核材股份有限公司 |
| 主分类号： | H05K9/00 | 分类号： | H05K9/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518118 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 屏蔽 | ||
1.一种屏蔽帽，包括帽体，帽体具有一收容腔，帽体于收容腔形成有帽体壁，其特征在于：帽体壁包括绝缘层和导电层。
2.如权利要求1所述的屏蔽帽，其特征在于：所述绝缘层位于内层，所述导电层位于外层。
3.如权利要求1所述的屏蔽帽，其特征在于：所述导电层位于内层，所述绝缘层位于外层。
4.如权利要求1所述的屏蔽帽，其特征在于：所述屏蔽帽的帽体壁进一步包括导磁层。
5.如权利要求1、2、3或4所述的屏蔽帽，其特征在于：所述导磁层由高导磁率高分子材料制成。
6.如权利要求4所述的屏蔽帽，其特征在于：所述帽体壁的绝缘层、导电层、导磁层从内到外依次排列。
7.如权利要求4所述的屏蔽帽，其特征在于：所述帽体壁的绝缘层、导磁层、导电层从内到外依次排列。
8.如权利要求4所述的屏蔽帽，其特征在于：所述帽体壁的导磁层、绝缘层、导电层从内到外依次排列。
9.如权利要求4所述的屏蔽帽，其特征在于：所述帽体壁的导电层、绝缘层、导磁层从内到外依次排列。
10.如权利要求4所述的屏蔽帽，其特征在于：所述帽体壁的导电层、导磁层、绝缘层从内到外依次排列。
11.如权利要求4所述的屏蔽帽，其特征在于：所述帽体壁的导磁层、导电层、绝缘层从内到外依次排列。
12.如权利要求1、2、3、4、6、7、8、9、10或11所述的屏蔽帽，其特征在于：所述屏蔽帽为热缩屏蔽帽。
13.如权利要求12所述的屏蔽帽，其特征在于：所述绝缘层为热融胶层、PVC层或PET层。
14.如权利要求12所述的屏蔽帽，其特征在于：所述导电层由复合型导电高分子材料制成。
15.如权利要求5所述的屏蔽帽，其特征在于：所述屏蔽帽为 热缩屏蔽帽。
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