[实用新型]一种低刻蚀率等离子体刻蚀室有效

申请号：	201120510365.0	申请日：	2011-12-08
公开（公告）号：	CN202332783U	公开（公告）日：	2012-07-11
发明（设计）人：	王兆祥;李俊良;刘志强;黄智林	申请（专利权）人：	中微半导体设备（上海）有限公司
主分类号：	H01J37/32	分类号：	H01J37/32
代理公司：	上海智信专利代理有限公司 31002	代理人：	王洁
地址：	201201 上海市浦东新***	国省代码：	上海;31
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摘要：
搜索关键词：	一种刻蚀等离子体
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【权利要求书】：

1.一种低刻蚀率等离子体刻蚀室，包括一上电极和一下电极，所述的下电极上设置一静电吸盘，所述静电吸盘上放置待处理晶片；所述的上电极上设置多个气体通孔，所述上电极同时作为反应气体进入等离子体刻蚀室的气体喷淋头，其特征在于：所述的待处理晶片自上而下包括图形化的光刻胶掩膜层、氧化硅层，所述的氧化硅层厚度为小于50纳米，所述气体喷淋头材质为石英。

2.根据权利要求1所述的低刻蚀率等离子体刻蚀室，其特征在于：所述的气体喷淋头外周侧设置一边缘环，所述的气体喷淋头和边缘环一体制成。

3.根据权利要求2所述的低刻蚀率等离子体刻蚀室，其特征在于：所述的边缘环材质为石英。

4.根据权利要求1所述的低刻蚀率等离子体刻蚀室，其特征在于：所述的等离子体刻蚀室主要用于刻蚀氧化硅层。

5.根据权利要求1所述的低刻蚀率等离子体刻蚀室，其特征在于：所述的等离子体刻蚀室内的刻蚀速率低于1500埃/分钟。

6.根据权利要求1所述的低刻蚀率等离子体刻蚀室，其特征在于：所述的等离子体刻蚀室内的刻蚀速率为500埃/分钟。

7.根据权利要求1所述的低刻蚀率等离子体刻蚀室，其特征在于：所述的等离子体刻蚀室内的刻蚀速率为200埃/分钟。

8.根据权利要求1所述的低刻蚀率等离子体刻蚀室，其特征在于：所述的氧化硅层下为半导体器件层。

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