[实用新型]用于TD-SCDMA手机的声表面波中频滤波器

说明书

技术领域

本实用新型属于通信用电子元器件领域，特别涉及一种应用于第三代无线通信系统TD-SCDMA手机中的低插入损耗、低通带内群时延波动的声表面波中频滤波器。

背景技术

声表面波滤波器具有体积小、成本低、矩形系数小、低插入损耗和高带外抑制等特性，因此广泛应用于无线移动系统的基站或者手机的中频滤波；对于第三代无线通信系统TD-SCDMA，其手机要求较小的功耗和较高的通信质量，应用于其中的声表面波中频滤波器要具有较低的插入损耗较小的通带内群时延波动。

用于SCDMA通信系统手机中的声表面波滤波器工作频率较低，通常为110MHz，通带宽度也较窄，3dB带宽通常不足1MHz；而TD-SCDMA无线通信系统手机要求应用在其中的声表面波滤波器的工作频率在264MHz，3dB带宽大于1.2MHz，因此需要对声表面波滤波器进行重新研制。

发明内容

本实用新型目的在于是克服现有技术的不足，提出一种用于TD-SCDMA手机的声表面波中频滤波器，采用在ST-X石英压电晶体基片上制作的插入损耗小于9dB、通带内群时延波动小于40ns的窄带中频声表面波滤波器，其工作频率为264MHz，3dB带宽1.27MHz，从而满足TD-SCDMA无线通信系统手机的应用要求。

本实用新型的技术方案如下：

本实用新型提供的用于TD-SCDMA手机中的声表面波中频滤波器，其由制作在ST-X石英压电晶体基片上的输入单相单向叉指换能器、输出单相单向叉指换能器和位于所述输入单相单向叉指换能器与输出单相单向叉指换能器之间的中间屏蔽条组成；其中，输入单向单相叉指换能器长度为162λ，输出单相单向叉指换能器长度为310λ；所述输入单相单向叉指换能器和输出单相单向叉指换能器均由分裂指条、反射栅条及汇流条组成，分裂指条与反射栅条长度相同；

所述分裂指条和反射栅条沿垂直于声波传播方向平行间隔分布，所述汇流条沿声波传播方向位于所述分裂指条和反射栅条的两端外侧，并与所述分裂指条和反射栅条两端部相连；

所述分裂指条为λ/8宽度分裂指条，所述λ/8宽度分裂指条为可实现声能与电能相互转换的电极指条、补偿声波传播相位的补偿指条或二者的组合；所述反射栅条为λ/4宽度反射栅条；两相邻分裂指条的中心间隔为λ/4，所述反射栅条与相邻分裂指条的中心间隔为3λ/8；所述λ为用于TD-SCDMA手机中的声表面波中频滤波器的中心频率所对应的声表面波波长。

所述输入单相单向叉指换能器的反射栅条为60根，输出单相单向叉指换能器3的反射栅条为114根。

所述输入单相单向叉指换能器和输出单相单向叉指换能器的孔径均为70λ。

所述输入单相单向叉指换能器采用不加权，输出单相单向叉指换能器采用抽指加权；所述输入单相单向叉指换能器的反射栅条组成的反射栅条阵和输出单相单向叉指换能器的反射栅条组成的反射栅条阵均采用抽指加权。

所述输入单相单向叉指换能器的反射栅条和输出单相单向叉指换能器的反射栅条均由金属铝膜制作，金属铝膜厚度h在140～160nm之间，所述金属铝膜厚度h与波长λ的比值在0.0117～0.0134之间。

如图1所示，本实用新型的用于TD-SCDMA手机中的声表面波中频滤波器中的ST-X石英压电晶体基片2粘贴在SMD(表面贴装器件)管座6的腔体内，输入单相单向叉指换能器4和输出单相单向叉指换能器3、中间屏蔽条5通过引线7分别于SMD管座6的管脚8相连接，声表面波中频滤波器由封盖9被密封在SMD管座6中。

本实用新型的优点在于：(1)基片采用ST-X石英压电晶体基片，温度稳定性好，适合制作窄带滤波器；(2)通过改变反射栅条的金属膜厚度来调控换能器的反射强度，从而同时获得较低的插入损耗和较小的通带内群时延波动，使得滤波器的插入损耗小于9dB，通带内的群时延波动小于40ns，工作频率为264MHz，3dB带宽1.27MHz，能够更好的满足第三代无线通信系统TD-SCDMA手机的要求。

附图说明

图1是本实用新型的用于TD-SCDMA手机中的声表面波中频滤波器的安装结构示意图。

图2是本实用新型的用于TD-SCDMA手机中的声表面波中频滤波器的结构示意图。

图3是图2实施例的幅度频率响应图。

图4是图2实施例的群时延频率响应图。

其中：声表面波中频滤波器1    ST-X石英压电晶体基片2

输出单相单向叉指换能器3      输入单相单向叉指换能器4