[实用新型]高性能助听器有效
申请号: | 201120517552.1 | 申请日: | 2011-12-10 |
公开(公告)号: | CN202385278U | 公开(公告)日: | 2012-08-15 |
发明(设计)人: | 陈子杨;黄勇 | 申请(专利权)人: | 陈子杨 |
主分类号: | H04R25/00 | 分类号: | H04R25/00;H04R3/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 233000 安徽省*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 性能 助听器 | ||
1.一种高性能助听器,由3V直流电源、拾音电路、音频前置放大电路、音量调节电路、音频二级放大和功率放大电路、耳机插座电路组成,其特征在于:
拾音电路中的驻极体话筒MIC的输出端与电阻R1的一端相连,电阻R1的另一端接电路正极VCC,驻极体话筒MIC的金属外壳端接电路地GND;
音频前置放大电路:电容C1的一端接驻极体话筒MIC的输出端,NPN型三极管VT1的基极接电容C1的另一端,NPN型三极管VT1的集电极接电阻R2的一端与电解电容C2的正极,NPN型三极管VT1的发射极接电路地GND;
音量调节电路中电位器RP的一端接电解电容C2的负极,电位器RP的活动臂端接电解电容C3的正极,电位器RP的另一端接电路地GND;
音频二级放大和功率放大电路中的NPN型三极管VT2的基极接电解电容C3的负极、负反馈电阻R4的一端,NPN三极管VT2的集电极接PNP型三极管VT3的基极和电阻R3的一端,电阻R3的另一端接电路正极VCC,NPN型三极管VT2的发射极接电路地GND,PNP型三极管VT3的发射极接耳机插座CK的座体和负反馈电阻R4的另一端,PNP型三极管VT3的集电极接电路地GND;
在耳机插座电路中耳机插座CK的座体接PNP型三极管VT3的发射极,耳机插座CK的静触点接电路正极VCC,耳机插座CK的动触点接3V直流电源的正极。
2.根据权利要求1所述的高性能助听器,其特征是:3V直流电源的负极接电路地GND。
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