[实用新型]超低电容瞬态电压抑制器件有效
| 申请号： | 201120519678.2 | 申请日： | 2011-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN202473924U | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 张常军;李昕华;陈向东 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰集成电路有限公司;杭州士兰微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/08 | 分类号： | H01L27/08 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市(*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电容 瞬态 电压 抑制 器件 | ||
1.一种超低电容瞬态电压抑制器件，其特征在于，包括：
P+半导体衬底；
P-外延层，位于所述P+半导体衬底上；
P+隔离区，形成于所述P-外延层中并延伸至所述P+半导体衬底；
一个或多个并列的TVS管N区，位于所述P+隔离区中；
一个或多个并列的TVS管P区，与所述TVS管N区并列位于所述P+隔离区中；
N-阱，位于所述P+隔离区之间的P-外延层中；
一个或多个并列的上二极管P区，位于所述N-阱中；
一个或多个并列的上二极管N区，与所述上二极管P区并列位于所述N-阱中；
一个或多个并列的下二极管N区，位于所述P+隔离区之间的P-外延层中；
一个或多个并列的下二极管P区，与所述下二极管N区并列位于所述P-外延层中；
互连结构，位于所述P-外延层上，包括连接所述TVS管N区与上二极管N区的互连线、连接所述TVS管P区与下二极管P区的互连线，以及连接所述上二极管P区与下二极管N区的互连线。
2.根据权利要求1所述的超低电容瞬态电压抑制器件，其特征在于，所述P+半导体衬底是电阻率为0.005-0.02Ω·cm的P+硅衬底。
3.根据权利要求2所述的超低电容瞬态电压抑制器件，其特征在于，所述P+半导体衬底是电阻率为0.005-0.008Ω·cm的P+硅衬底。
4.根据权利要求1所述的超低电容瞬态电压抑制器件，其特征在于，所述P-外延层的电阻率为15-20Ω·cm。
5.根据权利要求1所述的超低电容瞬态电压抑制器件，其特征在于，P-外延层的厚度为7~15μm。
6.根据权利要求1所述的超低电容瞬态电压抑制器件，其特征在于，还包括：
N+埋层，位于所述N-阱下方的P-外延层中。
7.根据权利要求1所述的超低电容瞬态电压抑制器件，其特征在于，所述多 个上二极管P区与多个上二极管N区之间呈梳状插指排列，所述多个下二极管P区与多个下二极管N区之间呈梳状插指排列，所述多个TVS管P区与TVS管N区呈梳状插指排列。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的超低电容瞬态电压抑制器件，其特征在于，所述互连结构为叠层结构，包括依次位于所述P-外延层上的第一介质层、第一金属层、第二介质层、第二金属层以及钝化层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
