[实用新型]低失调电流比较器

权利要求书

1.一种低失调电流比较器，包括第一三极管（Q1）及第二三极管（Q2），所述第一三极管（Q1）的基极端与第二三极管（Q2）的基极端相连；第一三极管（Q1）的发射极与第一电阻（R1）相连，第二三极管（Q2）的发射极通过第二电阻（R2）接地；其特征是：所述第一三极管（Q1）及第二三极管（Q2）的基极端均与第三三极管（Q3）的发射极相连；第一三极管（Q1）的集电极及第三三极管（Q3）的基极端均与第五MOS管（M5）的漏极端相互连接，第三三极管（Q3）的集电极分别与第四MOS管（M4）、第五MOS管（M5）、第六MOS管（M6）及第七MOS管（M7）的源极端相连，且第四MOS管（M4）、第五MOS管（M5）、第六MOS管（M6）及第七MOS管（M7）的源极端相互连连接；第六MOS管（M6）的漏极端与第二三极管（Q2）的集电极相连，第六MOS管（M6）的栅极端与第七MOS管（M7）的栅极端相连，且第六MOS管（M6）的栅极端与第六MOS管（M6）的漏极端相连；第七MOS管（M7）的漏极端与第三MOS管（M3）的漏极端相连，所述第三MOS管（M3）的源极端与第二MOS管（M2）的源极端及第一MOS管（M1）的源极端相互连接并接地；第三MOS管（M3）的栅极端与第二MOS管（M2）及第一MOS管（M1）的栅极端相互连接，第一MOS管（M1）的栅极端与第一MOS管（M1）的漏极端相连；第二MOS管（M2）的漏极端与第四MOS管（M4）的漏极端相连，第四MOS管（M4）的栅极端与所述第四MOS管（M4）的漏极端相连。

2.根据权利要求1所述的低失调电流比较器，其特征是： 所述第六MOS管（M6）的漏极端与第二三极管（Q2）的集电极间还设有第八MOS管（M8），所述第八MOS管（M8）的源极端与第二三极管（Q2）的集电极相连，第八MOS管（M8）的漏极端与第六MOS（M6）的漏极端相连，第八MOS管（M8）的栅极端与第三三极管（Q3）的基极端相连。

3.根据权利要求1所述的低失调电流比较器，其特征是：所述第一三极管（Q1）及第二三极管（Q2）为完全相同的NPN管。

4.根据权利要求1所述的低失调电流比较器，其特征是：所述第二MOS管（M2）与第三MOS管（M3）均为NMOS管，第二MOS管（M2）与第三MOS管（M3）形成第一镜像源，且第二MOS管（M2）与第三MOS管（M3）对应导电沟道的宽长比相同。

5.根据权利要求1所述的低失调电流比较器，其特征是：所述第四MOS管（M4）及第五MOS管（M5）均为PMOS管，第四MOS管（M4）及第五MOS管（M5）形成第二镜像源，且第四MOS管（M4）及第五MOS管（M5）对应导电沟道的宽长比相同。

6.根据权利要求1所述的低失调电流比较器，其特征是：所述第六MOS管（M6）与第七MOS管（M7）均为PMOS管，第六MOS管（M6）及第七MOS管（M7）形成第三镜像源，且第六MOS管（M6）及第七MOS管（M7）对应导电沟道的宽长比相同。

7.根据权利要求1所述的低失调电流比较器，其特征是：所述第一MOS管（M1）的漏极端与偏置电流源Idc相连；第四MOS管（M4）的源极端、第五MOS管（M5）的源极端、第六MOS管（M6）的源极端、第七MOS管（M7）的源极端及第三三极管（Q3）的集电极均与电源VDD相连。

8.根据权利要求1所述的低失调电流比较器，其特征是：所述第一电阻（R1）对应于与第一三极管（Q1）发射极相连的另一端与节点SW相连。

9.根据权利要求1所述的低失调电流比较器，其特征是：所述第三三极管（Q3）为NPN管。

10.根据权利要求1所述的低失调电流比较器，其特征是：所述第八MOS管（M8）为NMOS管，且第八MOS管（M8）的阈值电压为-0.2V~0.2V。