[实用新型]一种用于晶圆多晶硅膜生长过程中的气体弥散装置

权利要求书

1.一种用于晶圆多晶硅膜生长过程中的气体弥散装置，其特征在于：它包括：主进气管(3)，中心管，补偿进气管，上述三根管的两端部分别连通，连通后的一端接主进气口(1)，另一端接次进气口(2)，主进气管上等距分布着主进气孔，所述的补偿进气管为变径管，其中一段为主补偿进气管(4)，一端为次补偿进气管(5)，主补偿进气管上设有等距分布的主补偿进气孔，次补偿进气管上设有等距分布的次补偿进气孔。

2.根据权利要求1所述用于晶圆多晶硅膜生长过程中的气体弥散装置，其特征在于：本装置总长度1为2250-2255mm；本装置材质为电子级石英材料，所用材料壁厚为1.5mm。

3.根据权利要求1所述用于晶圆多晶硅膜生长过程中的气体弥散装置，其特征在于：主进气口长度a为148-152mm，内径Φ7为7mm，次进气口长度b为198-202mm，内径Φ5为6mm.主进气管长度h为1900-1910mm，内径Φ6为5-6mm；上面分布着等距的主进气孔，主进气孔间距为110-120mm，主进气孔直径Φ1为2.4-2.6mm。

4.根据权利要求1所述用于晶圆多晶硅膜生长过程中的气体弥散装置，其特征在于：主补偿进气管长度f为1055-1065mm，内径Φ4为14-16mm；上面分布着等距的主补偿进气进气孔，主补偿进气孔间距e为90-100mm，补偿进气进气孔孔直径Φ2为4.9-5.1mm.

5.根据权利要求1所述用于晶圆多晶硅膜生长过程中的气体弥散装置，其特征在于：次补偿进气管长度y为980-990mm，内径Φ8为5-6mm；上面分布着等距的次补偿进气孔，次补偿进气孔间距m为50-60mm，补偿进气进气孔直径Φ3为1.4-1.6mm。

6.根据权利要求1所述用于晶圆多晶硅膜生长过程中使用的气体弥散装置，其特征在于：从主进气口端开始到第一个主补偿进气孔的距离c为510-530mm.：从第一个主补偿进气孔到第一个次补偿进气孔的距离d为1070-1080mm从主进气口端开始到第一个主进气孔的距离k为450-470mm.

7.根据权利要求1所述用于晶圆多晶硅膜生长过程中使用的气体弥散装置，其特征在于：主进气口与主进气管连接处弧度R1为14-15mm，主进气口与主补偿进气管连接处弧度R2为16-17mm，次进气孔与主进气管连接处弧度R4为14-15mm，次进气口与次补偿进气管连接弧度R3为14-15mm。