[实用新型]一种太赫兹波高速调制器

权利要求书

1.一种太赫兹波高速调制器，其特征在于：包括衬底层（1），在该衬底层（1）上生长有一缓冲层（2），在该缓冲层（2）生长有应变量子阱结构，在该应变量子阱结构的上表面制备的由金属谐振单元周期阵列组成的金属超材料结构（3）；所述应变量子阱结构包括两个以上的势垒层（4）和至少一个势阱层（5），所述势阱层（5）处于两势垒层（4）中间，且所述应变量子阱结构最上层和最下层都是势垒层；所述衬底层（1）是＜111＞面取向，所述缓冲层（2）与衬底层（1）材料相同，所述势阱层（5）的能带隙小于势垒层（4），且所述势垒层（4）与衬底层（1）的晶格常数相同或者相差不超过0.5%。

2.根据权利要求1所述太赫兹波高速调制器，其特征在于：所述衬底层（1）、缓冲层（2）和势垒层（4）材料是砷化镓，所述势阱层（5）材料是铟镓砷。

3.根据权利要求1所述太赫兹波高速调制器，其特征在于：所述衬底层（1）和缓冲层（2）是砷化镓，所述势垒层（4）材料是铝镓砷，所述势阱层（5）材料是镓砷磷。

4.根据权利要求2所述太赫兹波高速调制器，其特征在于：所述应变量子阱结构中势垒层（4）和势阱层（5）都是＜111＞面取向，所述势垒层（4）厚度为10～300nm，所述势阱层（5）厚度为1～30nm。

5.根据权利要求2所述太赫兹波高速调制器，其特征在于：所述缓冲层（2）厚度为20～300nm。

6.根据权利要求1所述太赫兹波高速调制器，其特征在于：所述金属超材料结构（3）中金属谐振单元的厚度为0.2～5微米，周期为20～80微米。