[实用新型]LED驱动芯片的电流源电路有效

专利信息
申请号: 201120534328.3 申请日: 2011-12-20
公开(公告)号: CN202396049U 公开(公告)日: 2012-08-22
发明(设计)人: 杨耀武;苏晓燕;苏怡 申请(专利权)人: 常熟卓辉光电科技有限公司
主分类号: H05B37/02 分类号: H05B37/02
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 215500 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: led 驱动 芯片 电流 电路
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及一种LED驱动芯片的电流源电路,属于LED电路技术领域。 

背景技术

电流源电路在模拟电路中是非常常见的电路,它不随电压和温度的变化而变化,用于为电路中其他模块产生电流基准,如放大器,振荡器,PLL等。 

现有技术中存在两种不同的电流源电路,一种不受电源电压的影响,但是精确度有限、易受温度影响。另一种精确度很高,不受电源电压的影响,但是需要bandgap核和额外的运放,受到电阻和Vref温度特性影响。 

上述两种结构有一个共同的缺点:片内电阻的关键参数通常会因为工艺涨落发生偏离。电流基准电路易受到工艺、电压、温度(PVT)变化的影响,这就导致输出电流会有相当大的变化,难以为后续电路提供性能优越的电流源。如振荡器的输出频率不能得到很好的控制。所以,设计高性能的基准电流电路就要克服以上的困难。 

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是提供一种不受电压、温度和工艺影响的LED驱动芯片的电流源电路。 

为了解决上述的技术问题,本实用新型的技术方案是:一种LED驱动芯片的电流源电路,其特征在于包括放大器电路、温度补偿级电路和工艺补偿级电路,所述放大器电路、温度补偿级电路和工艺补偿级电路串联。 

所述工艺补偿级通过用阵列叠加式MOS工艺进行补偿实现。 

本实用新型电路采用工艺补偿级和温度补偿级级联的思想。工艺补偿的实现,用阵列叠加式MOS工艺进行补偿,其具有较大负温度特性。传统的带隙结构电路能够产生正温度系数的电流,但是要使二者实现温度的补偿,需要专门为其设计一个温度系数。对于较大负温度系数的MOSFET组合电路,需要相当数量的三极管才能实现。 

一般的模拟电路中都会有带隙基准,是否能够不改变原有的带隙电路仅外加一部分电路,而进行PTAT特性调节,针对这种想法设计一种可灵活调节提高电路的正温度系数,抵消工艺补偿电路负温度特性,产生具有低温漂的电流源电路。 

附图说明

附图1为本实用新型的结构示意图。 

具体实施方式

如附图所示,本实用新型LED驱动芯片的电流源电路应用于背光的Boost型白光LED驱动芯片上,其将放大器电路、温度补偿级电路和工艺补偿级电路电路串联,工艺补偿级通过用阵列叠加式MOS工艺进行补偿实现。 

本实用新型为振荡器等电路提供精确的偏置电流,其具有输出阻抗高,输出电流及温度特性调整简单方便的特点。解决了以往只针对PVT中一到两个方面设计的弊端,具有优越的性能。 

上述实施例不以任何方式限制本实用新型,凡是采用等同替换或等效变换的方式获得的技术方案均落在本实用新型的保护范围内。 

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