[实用新型]低势垒肖特基二极管的结构有效
| 申请号： | 201120534643.6 | 申请日： | 2011-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN202394978U | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 刘宪成;吴志伟;王平 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/24 | 分类号： | H01L29/24;H01L29/872 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 低势垒肖特基 二极管 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种低势垒肖特基二极管的结构，其特征在于，包括
半导体衬底；
N型外延层，位于所述半导体衬底的正面；
钝化层，位于所述N型外延层上，所述钝化层具有开窗；
势垒合金层，位于所述开窗中的N型外延层上，所述势垒合金层的材质为钛的硅化物。
2.如权利要求1所述的低势垒肖特基二极管的结构，其特征在于，还包括，
正面金属电极，位于所述势垒合金层上；
背面金属电极，位于所述半导体衬底的背面。
3.如权利要求1所述的低势垒肖特基二极管的结构，其特征在于，所述N型外延层中还形成有P型保护环，所述P型保护环围绕所述开窗。
4.如权利要求1所述的低势垒肖特基二极管的结构，其特征在于，所述势垒合金层的材质为二硅化钛。
5.如权利要求1所述的低势垒肖特基二极管的结构，其特征在于，所述势垒合金层的厚度为1000～5000埃。
6.如权利要求1至5中任意一项所述的低势垒肖特基二极管的结构，其特征在于，所述钝化层的材质为二氧化硅。
7.如权利要求1至5中任意一项所述的低势垒肖特基二极管的结构，其特征在于，所述半导体衬底的厚度为100um～300um。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州士兰集成电路有限公司，未经杭州士兰集成电路有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201120534643.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：胃肠镜诊疗用视野清晰度增强系统及方法
- 下一篇：滤光片切换机构
- 同类专利
- 专利分类
