[实用新型]周期性开口式回字形结构的太赫兹波吸收器有效
| 申请号： | 201120538171.1 | 申请日： | 2011-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN202373676U | 公开（公告）日： | 2012-08-08 |
| 发明（设计）人： | 李九生 | 申请（专利权）人： | 中国计量学院 |
| 主分类号： | H01P1/20 | 分类号： | H01P1/20;G02B5/00 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 张法高 |
| 地址： | 310018 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 周期性 开口 字形 结构 赫兹 吸收 | ||
1. 一种周期性开口式回字形结构的太赫兹波吸收器，其特征在于包括信号输入端（1）、传输层（2）、基体（3）、金属层结构（4）；传输层（2）、基体（3）、金属层结构（4）顺次相连，传输层（2）的厚度为1~2μm，传输层（2）具有N×N个等间距放置的开口式回字金属周期单元（5），N为自然数；信号从信号输入端（1）输入，依次经过传输层（2）、基体（3）到金属层结构（4），实现对太赫兹波的吸收。
2. 根据权利要求1所述的一种周期性开口式回字形结构的太赫兹波吸收器，其特征在于所述的基体（3）的厚度为500~520μm。
3. 根据权利要求1所述的一种周期性开口式回字形结构的太赫兹波吸收器，其特征在于所述的金属层结构（4）的厚度为1~2μm。
4. 根据权利要求1所述的一种周期性开口式回字形结构的太赫兹波吸收器，其特征在于所述的两个相邻的开口式回字形周期单元（5）的间距为10~12μm。
5. 根据权利要求1所述的一种周期性开口式回字形结构的太赫兹波吸收器，其特征在于所述的开口式回字形周期单元（5）具内、外两个开口正方形，外开口正方形的边长为70～75μm，内开口正方形的边长50～55μm，内、外开口正方形侧边的宽度均为5～7μm，内、外开口正方形的开口宽度为6～8μm。
6. 根据权利要求1所述的一种周期性开口式回字形结构的太赫兹波吸收器，其特征在于所述的基体（3）的材料为高阻硅材料，传输层（2）的材料为铜，金属层结构（4）的材料为铜。
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