[实用新型]一种参考电压缓冲电路有效

专利信息
申请号: 201120538629.3 申请日: 2011-12-21
公开(公告)号: CN202548685U 公开(公告)日: 2012-11-21
发明(设计)人: 杨旭刚;郭先清;傅璟军;胡文阁 申请(专利权)人: 比亚迪股份有限公司
主分类号: G05F1/46 分类号: G05F1/46;G05F1/56
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518118 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 参考 电压 缓冲 电路
【权利要求书】:

1.一种参考电压缓冲电路,包括:第一运算放大器驱动的第一mos管和第二mos管,其特征在于,所述参考电压缓冲电路还包括电流镜电路,所述电流镜电路与第一mos管和第二mos管连接;所述第二mos管的源极为参考电压输出端。

2.如权利要求1所述的参考电压缓冲电路,其特征在于,所述电流镜电路为第三mos管、第四mos管、第五mos管、第六mos管构成的电路;

所述第三mos管的栅极与所述第四mos管的栅极相连,且所述第四mos管的栅极与漏极相连;所述第五mos管的栅极与所述第六mos管的栅极相连,且所述第五mos管的栅极与漏极相连;所述第三mos管的漏极与所述第五mos管的漏极相连;所述第四mos管的漏极与所述第六mos管的漏极相连;所述第五mos管和第六mos管的源极均接地;

所述第一运算放大器的正向输入端连接第一输入参考电压VREFP_IN,反向输入端接所述第一mos管的源极,输出端连接所述第一mos管和所述第二mos管的栅极;所述第一mos管和第二mos管的漏极均接电源VDD;

所述第一mos管的源极连接所述第三mos管的源极;所述第二mos管的源极连接所述第四mos管的源极;所述第二mos管的源极为第一参考电压输出端VREFP。

3.如权利要求2所述的参考电压缓冲电路,其特征在于,所述第一mos管、第二mos管、第五mos管及第六mos管均为nmos管;所述第三mos管和第四mos管均为pmos管。

4.如权利要求2所述的参考电压缓冲电路,其特征在于,所述第一mos管、第二mos管均为低阈值电压mos管。

5.如权利要求2所述的参考电压缓冲电路,其特征在于,所述第三mos管、第四mos管、第五mos管、第六mos管均为低阈值电压的mos管。

6.如权利要求2所述的参考电压缓冲电路,其特征在于,所述第三mos管、第四mos管的衬底端均连接各自的源极端。

7.如权利要求1所述的参考电压缓冲电路,其特征在于,所述电流镜电路包括:第三mos管和第四mos管构成的第一电流镜;及第五mos管和第六mos管构成的第二电流镜;

所述第一电流镜中第三mos管的栅极与所述第四mos管的栅极相连,且所述第三mos管的栅极与漏极相连;所述第三mos管和第四mos管的源极均连接电源VDD;

所述第二电流镜中第五mos管的栅极与所述第六mos管的栅极相连,且所述第六mos管的栅极与漏极相连;所述第五mos管和第六mos管的源极均接地VSS;

所述第一运算放大器的正向输入端连接第一输入参考电压VREFP_IN,反向输入端接所述第一mos管的源极,输出端连接所述第一mos管和所述第二mos管的栅极; 

所述第一mos管的源极连接所述第三mos管的漏极;所述第二mos管的源极连接所述第四mos管的漏极;

所述第一mos管的漏极连接所述第五mos管的漏极;所述第二mos管的漏极连接所述第六mos管的漏极;所述第二mos管的源极为第一参考电压输出端VREFP。

8.如权利要求7所述的参考电压缓冲电路,其特征在于,所述第一mos管、第二mos管、第三mos管及第四mos管均为pmos管;所述第五mos管和第六mos管均为nmos管。

9.如权利要求7所述的参考电压缓冲电路,其特征在于,所述第一mos管、第二mos管、第五mos管、第六mos管均为低阈值电压的mos管。

10.如权利要求7所述的参考电压缓冲电路,其特征在于,所述第三mos管、第四mos管均为低阈值电压的mos管。

11.如权利要求7所述的参考电压缓冲电路,其特征在于,所述第一mos管、第二mos管、第三mos管、第四mos管的衬底端均连接各自的源极端。

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