[实用新型]一种边缘设有直流电极的静电吸盘

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种静电吸盘，特别涉及一种边缘设有直流电极的静电吸盘。

背景技术

现有技术中，如图1所示，在等离子蚀刻室的静电吸盘中放置平板电极1’，从而施加静电力以吸住晶片，该静电力基于电极和晶片的距离，并且总是均匀地穿过晶片。实验数据表明，静电吸盘的中心和边缘表面褪化程度不同，因此对氦气的冷却密封，能够保证氦气在晶片背面给晶片降温，从而保证静电吸盘经受不间断的生产循环。但是密封件的降解会导致高氦气泄漏率，所以氦气在静电吸盘边缘对晶片的冷却效率就降低，静电吸盘中心到边缘将会出现多种不同的温度，从而造成静电吸盘的失效。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种边缘设有直流电极的静电吸盘，能够保证静电吸盘的吸力不随晶片表面的变化而减弱，可补偿静电吸盘边缘对晶片的吸力的损耗，从而能够保证氦气不泄露，确保静电吸盘的有效性，增加静电吸盘的寿命。

为了实现以上目的，本实用新型是通过以下技术方案实现的：

一种边缘设有直流电极的静电吸盘，在静电吸盘的中心设置有平板直流电极，包含环形直流电极，所述的环形直流电极设置在静电吸盘的边缘。

所述的环形直流电极到晶片的距离小于平板直流电极到晶片的距离。

所述的环形直流电极距离静电吸盘的上表面的距离小于1mm。

所述的环形直流电极与平板直流电极电气相连。

连接到所述环形直流电极和平板直流电极的电压不同。

连接到所述环形直流电极的电压大于连接到平板直流电极的电压。

本实用新型与现有技术相比，具有以下优点：

1、保证静电吸盘的吸力不随晶片表面的变化而减弱；

2、补偿静电吸盘边缘对晶片的吸力的损耗，保证静电吸盘的有效性；

3、增加静电吸盘的寿命。

附图说明

图1为现有技术的静电吸盘中心放置平板电极的结构示意图；

图2为本实用新型一种边缘设有直流电极的静电吸盘的实施例之一的结构示意图；

图3为本实用新型一种边缘设有直流电极的静电吸盘的实施例之二的结构示意图。

具体实施方式

以下结合附图，通过详细说明一个较佳的具体实施例，对本实用新型做进一步阐述。

如图2和图3所示，一种边缘设有直流电极的静电吸盘，在静电吸盘的中心设置有平板直流电极1，静电吸盘的边缘设有环形直流电极2，该环形直流电极2到晶片的距离小于平板直流电极1到晶片的距离，环形直流电极2距离静电吸盘的上表面的距离小于1mm。

实施例之一：

如图2所示，在本实施例中，环形直流电极2距离静电吸盘上表面的距离为0.3mm，且环形直流电极2与平板直流电极1之间电气不相连。在静电吸盘工作时，环形直流电极2和平板直流电极1分别连接两个电压源，两个电压源所提供的电压可以相同，也可以不同，以实现对环形直流电极2和平板直流电极1中通入的电压分别单独控制。当环形直流电极2和平板直流电极1中通入的电压相同，环形直流电极2所提供的对晶片的吸力也会由于距离小而大于平板直流电极1所提供的吸力；当环形直流电极2和平板直流电极1中通入的电压不同时，可以补偿由于静电吸盘寿命的变化而引起的吸力损失。比如连接到环形直流电极2的电压大于连接到直流电极1的电压时边缘区域的静电吸力会远大于中心区域的吸力。因此，静电吸盘的吸力不会对晶片表面的变化过于敏感，不会造成静电吸盘的边缘和中心对晶片的吸力不同，从而能够保证氦气不泄露，从而能够保证静电吸盘的有效性，增加了静电吸盘的寿命。

实施例之二：

如图3所示，在本实施例中，环形直流电极2距离静电吸盘上表面的距离为0.3mm，且环形直流电极2与平板直流电极1电气相连。在静电吸盘工作时，环形直流电极2与平板直流电极1中通入的电压相同，环形直流电极2所提供的对晶片的吸力由于距离小而大于平板直流电极1所提供的吸力，因此，静电吸盘的吸力不会对晶片表面的变化过于敏感，不会造成静电吸盘的边缘和中心对晶片的吸力不同，从而能够保证氦气不泄露，确保静电吸盘的有效性，增加了静电吸盘的寿命。

综上所述，本实用新型一种边缘设有直流电极的静电吸盘，能够保证静电吸盘的吸力不随晶片表面的变化而减弱，可补偿静电吸盘边缘对晶片的吸力的损耗，从而能够保证氦气不泄露，确保静电吸盘的有效性，增加静电吸盘的寿命。

尽管本实用新型的内容已经通过上述优选实施例作了详细介绍，但应当认识到上述的描述不应被认为是对本实用新型的限制。在本领域技术人员阅读了上述内容后，对于本实用新型的多种修改和替代都将是显而易见的。因此，本实用新型的保护范围应由所附的权利要求来限定。