[实用新型]一种电流复用高线性度折叠电流镜混频器

权利要求书

1.一种电流复用高线性度折叠电流镜混频器，其特征在于：包含射频输入级、电压混频核心电路、中频输出级、信号隔离/电流注入电路和共模反馈电路；所述射频输入级包含用作射频跨导管的第一NMOS管NM1和第二NMOS管NM2，源简并电阻第一电阻R1、第二电阻R2，以共栅方式工作的第三NMOS管NM3和第四NMOS管NM4，用作负载管的二极管连接的第一PMOS管PM1和第二PMOS管PM2；所述电压混频核心电路包含用作双平衡开关对的第五PMOS管PM5、第六PMOS管PM6、第七PMOS管PM7和第八PMOS管PM8；所述中频输出级包含用作电流镜的第三PMOS管PM3和第四PMOS管PM4，以共栅方式工作的第九PMOS管PM9和第十PMOS管PM10，负载电阻第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6，偏置电阻第七电阻R7、第八电阻R8；所述信号隔离/电流注入电路包含第五NMOS管NM5和第六NMOS管NM6，构成LC并联谐振电路的第一电感L1、第二电感L2，第一电容C1、第二电容C2；所述共模反馈电路包含输出共模电压检测网络和误差放大器A1；

其中，第一NMOS管NM1的栅极接输入射频信号正极，其源极接第一电阻R1的正端，其漏极接第三NMOS管NM3的源极；所述第一电阻R1的负端接地；第二NMOS管NM2的栅极接输入射频信号负极，其源端接第二电阻R2的正端，其漏极接第四NMOS管NM4的源极；所述第二电阻R2的负端接地；第三NMOS管NM3和第四NMOS管NM4的栅极接偏置电压；第一PMOS管PM1和第二PMOS管PM2均栅漏短接，并分别接第三NMOS管NM3和第四NMOS管NM4的漏极；所述第一PMOS管PM1和第二PMOS管PM2源极均接电源电压；第五PMOS管PM5和第六PMOS管PM6的源极均接第二PMOS管PM2的栅极，它们的源极分别接本振信号负极和本振信号正极，它们的漏极分别接第四PMOS管PM4和第三PMOS管PM3的栅极；所述第七PMOS管PM7和第八PMOS管PM8的源极均接第一PMOS管PM1的栅极，它们的栅极分别接本振信号的正极和本振信号的负极，它们的漏极分别接第四PMOS管PM4和第三PMOS管PM3的栅极；所述第三PMOS管PM3和第四PMOS管PM4的源极均接电源电压，它们的漏极分别接第九PMOS管PM9和第十PMOS管PM10的源极；所述第九PMOS管PM9的漏极接第三电阻R3的正极，是输出信号的正端；所述第三电阻R3的负端接第五电阻R5和第七电阻R7的正端；所述第十PMOS管PM10的漏极接第四电阻R4的正极，是输出信号的负端；所述第四电阻R4的负端接第五电阻R5和第八电阻R8的正端；所述第五电阻R5和第六电阻R6的负端接地；所述第七电阻R7和第八电阻R8的负端相接，并同时接到第九PMOS管PM9和第十PMOS管PM10的栅极；

所述误差放大器A1的反相端接从输出端检测到的输出共模电压，其正反相端接参考共模电压，其输出端接第五NMOS管NM5和第六NMOS管NM6的栅极；所述第一电容C1与第一电感L1并联，第一电容C1正端接第一NMOS管NM1的漏极，负端接第五NMOS管NM5的漏极；所述第二电容C2与第二电感L2并联，第二电容C2正端接第二NMOS管NM2的漏极，其负端接第六NMOS管NM6的源极；所述第五NMOS管NM5和第六NMOS管NM6的漏极分别接第九PMOS管PM9和第十PMOS管PM10的源端。