[实用新型]硅电容麦克风的封装结构有效
| 申请号： | 201120546665.4 | 申请日： | 2011-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN202425043U | 公开（公告）日： | 2012-09-05 |
| 发明（设计）人： | 黎健泉 | 申请（专利权）人： | 瑞声声学科技(常州)有限公司;瑞声声学科技(深圳)有限公司 |
| 主分类号： | H04R31/00 | 分类号： | H04R31/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 213167 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电容 麦克风 封装 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅电容麦克风的封装结构，包括基底、固持于所述基底上并具有内腔的外壳、以及收容于所述内腔内并固持于所述基底上的电子组件，其特征在于：所述基底上设有至少一圈围绕所述电子组件并位于内腔内的隔离凹槽，所述隔离凹槽用于阻止胶水污染和焊液污染。
2.根据权利要求1所述的硅电容麦克风的封装结构，其特征在于：所述电子组件包括MEMS芯片和ASIC芯片。
3.根据权利要求1所述的硅电容麦克风的封装结构，其特征在于：所述基底包括基材层、位于所述基材层上表面的导电层和位于所述导电层上表面的绝缘层。
4.根据权利要求3所述的硅电容麦克风的封装结构，其特征在于：所述外壳的开口面通过锡膏焊接于所述导电层。
5.根据权利要求4所述的硅电容麦克风的封装结构，其特征在于：所述隔离凹槽设置在绝缘层。
6.根据权利要求4所述的硅电容麦克风的封装结构，其特征在于：所述所述隔离凹槽设置在导电层。
7.根据权利要求1～6任意一项所述的硅电容麦克风的封装结构，其特征在于：所述绝缘层为绿油。
8.根据权利要求7所述的硅电容麦克风的封装结构，其特征在于：所述导电层为铜箔。
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