[实用新型]一种临界场强检测保护电路及射频识别芯片

权利要求书

1.一种临界场强检测保护电路，其特征在于，所述临界场强检测保护电路包括信号转换模块、场强检测判断模块，所述信号转换模块接收外部整流限幅电路的栅压控制信号，并将其转换为负载电压值输出；所述场强检测判断模块接收信号转换模块的负载电压值，并将其与参考电压值进行比较，输出对场强的判断结果。

2.根据权利要求1所述的临界场强检测保护电路，其特征在于，所述信号转换模块包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管以及负载电路，其中，

所述第一晶体管的栅极与外部整流限幅电路相连接，接收整流限幅电路输出的栅压控制信号，其源极与地相连接，其漏极与所述第二晶体管的漏极连接；

所述第二晶体管的源极与电源VDD相连接，其栅极和漏极与第一晶体管的漏极连接；

所述第三晶体管的源极与电源VDD相连接，其栅级与第二晶体管的栅极和漏极连接，其漏极与负载电路相连接，并输出负载电压值。

3.根据权利要求2所述的临界场强检测保护电路，其特征在于，所述负载电路由并联的电容C和电阻R组成，所述并联的电容C和电阻R的一端与所述第三晶体管的一端连接，另一端与地相连接。

4.根据权利要求3所述的临界场强检测保护电路，其特征在于，所述电阻R为可调电阻，通过调节电阻R而输出不同的负载电压值。

5.根据权利要求4所述的临界场强检测保护电路，其特征在于，所述场强检测判断模块包括比较器，所述比较器的一个输入端与第三晶体管的漏极连接，另一个输入端接收参考电压值，所述比较器对负载电压值与参考电压值进行比较，所述比较器的输出端输出对场强的判断结果。

6.根据权利要求2所述的临界场强检测保护电路，其特征在于，所述第一晶体管为N型晶体管。

7.根据权利要求2所述的临界场强检测保护电路，其特征在于，所述第二晶体管和第三晶体管为P型晶体管。

8.一种射频识别芯片，其特征在于，所述射频识别芯片包括权利要求1至7任一项所述的临界场强检测保护电路和整流限幅电路，所述临界磁场检测保护电路接收所述整流限幅电路的栅压控制信号，并将其转换为负载电压值输出。

9.根据权利要求8所述的芯片，其特征在于，所述整流限幅电路包括电压检测电路模块和泄放管，所述泄放管的源极与地相连接，其栅极和漏极与所述电压检测电路模块相连接，所述电压检测电路模块输出栅压控制信号以控制泄放管的栅极，从而调节泄放管的泄放电流大小。

10.根据权利要求9所述的芯片，其特征在于，所述泄放管为N型晶体管。