[实用新型]多个衬底屏蔽层的集成电路片上电感结构有效
| 申请号： | 201120551938.4 | 申请日： | 2011-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN202423271U | 公开（公告）日： | 2012-09-05 |
| 发明（设计）人： | 孙玲玲;文进才;苏国东;郭丽丽 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 杜军 |
| 地址： | 310018 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 衬底 屏蔽 集成电路 电感 结构 | ||
【权利要求书】：
1.多个衬底屏蔽层的集成电路片上电感结构，其特征在于：包括片上电感，在片上电感的正下方设置有多层衬底屏蔽层；所述的衬底屏蔽层由矩形金属条和多根形状相同的金属栅条组成，所述的金属栅条与矩形金属条垂直设置，金属栅条之间等间距平行设置。
2.根据权利要求1所述的集成电路片上电感结构，其特征在于：所述的衬底屏蔽层共有两层或三层。
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