[实用新型]一种选择性发射极太阳电池

权利要求书

1.一种选择性发射极太阳电池，其特征在于，所述电池包括电池栅线，重掺杂区，发射区，P型体区和背面电极；

所述电池栅线分布在所述发射区上方，所述重掺杂区置于所述电池栅线与所述发射区之间；

所述发射区与所述背面电极之间设置有所述P型体区。

2.根据权利要求1所述一种选择性发射极太阳电池，其特征在于，所述电池还包括有减反射层，所述减反射层设置于所述发射区之上，与所述电池栅线和所述重掺杂区相连。

3.根据权利要求1所述一种选择性发射极太阳电池，其特征在于，所述减反射层厚度为50~90μm。

4.根据权利要求1所述一种选择性发射极太阳电池，其特征在于，所述电池栅线包括至少两根主栅和60~90根细栅，所述主栅与所述细栅垂直分布。

5.根据权利要求1所述一种选择性发射极太阳电池，其特征在于，所述电池栅线高度为10~30μm，所述电池栅线高宽之比为4~6:1~1.5。

6.根据权利要求1所述一种选择性发射极太阳电池，其特征在于，所述电池还包括铝背场，所述铝背场厚度为10~35μm。

7.根据权利要求1所述一种选择性发射极太阳电池，其特征在于，所述发射区方块电阻为40~120Ω/sp，发射区结深3~5μm。

8.根据权利要求1所述一种选择性发射极太阳电池，其特征在于，所述P型体区为P型多晶硅或P型单晶硅。