[实用新型]一种选择性发射极有效
申请号: | 201120558163.3 | 申请日: | 2011-12-28 |
公开(公告)号: | CN202585430U | 公开(公告)日: | 2012-12-05 |
发明(设计)人: | 班群;康凯;陈刚 | 申请(专利权)人: | 广东爱康太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
代理公司: | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人: | 颜希文 |
地址: | 528100 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 选择性 发射极 | ||
1.一种选择性发射极,其特征在于,所述选择性发射极包括重掺杂区和低掺杂区;
其中,所述重掺杂区包括主栅重掺杂区和细栅重掺杂区,所述主栅重掺杂区与所述细栅重掺杂区垂直相连;
所述重掺杂区还设置有点槽。
2. 根据权利要求1所述的选择性发射极,其特征在于,所述主栅重掺杂区包括直线区和设置于所述主栅重掺杂区两端的收窄区;
所述收窄区为梯形收窄区,所述梯形收窄区的上底为0.3~0.6mm;
所述梯形收窄区的下底与所述直线区相连,且所述梯形收窄区的下底与所述直线区宽度均为1.3~1.7mm;
所述细栅重掺杂区宽度为0.29~0.32mm。
3.根据权利要求1所述的选择性发射极,其特征在于,所述主栅重掺杂区覆盖在所述细栅重掺杂区之上。
4.根据权利要求1所述的选择性发射极,其特征在于,所述点槽的直径为0.18~0.22mm。
5.根据权利要求1所述的选择性发射极,其特征在于,所述点槽之间的径向距离和轴向距均为0.325~0.395mm。
6.根据权利要求1所述的选择性发射极,其特征在于,所述主栅重掺杂区设有至少两个,所述细栅重掺杂区设有60~90个;
所述主栅重掺杂区之间的距离为45~70mm,所述细栅重掺杂区之间的距离为2.1~2.4mm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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