[实用新型]一种光点位置检测传感器有效
| 申请号： | 201120559159.9 | 申请日： | 2011-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN202434554U | 公开（公告）日： | 2012-09-12 |
| 发明（设计）人： | 秦明;张睿 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L31/107 | 分类号： | H01L31/107;H01L31/068;G01B7/004 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人： | 王鹏翔 |
| 地址： | 214135 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 位置 检测 传感器 | ||
1.一种光点位置检测传感器，其特征在于，包括依次设置的第一低阻半导体层(1)、高阻半导体层(2)、第二低阻半导体层(3)和绝缘抗反射保护层(4)；
所述第一低阻半导体层(1)与高阻半导体层(2)的导电类型相同；
所述高阻半导体层(2)与第二低阻半导体层(3)的导电类型相反形成半导体PN结，所述第二低阻半导体层(3)的掺杂浓度高于高阻半导体层(2)的掺杂浓度；
所述绝缘抗反射保护层(4)的表面设有四根相同的电极(5)，四根所述电极(5)围成正方形有效光敏区域；
所述第一低阻半导体层(1)的表面设有金属层(6)。
2.根据权利要求1所述的光点位置检测传感器，其特征在于，所述电极(5)与金属层(6)之间的正常工作偏置电压略小于半导体PN结的雪崩击穿电压。
3.根据权利要求1所述的光点位置检测传感器，其特征在于，所述第一低阻半导体层(1)、高阻半导体层(2)和第二低阻半导体层(3)采用的是普通硅片。
4.根据权利要求1至3任意一项所述的光点位置检测传感器，其特征在于，在所述第一低阻半导体层(1)表面通过外延法形成高阻半导体层(2)。
5.根据权利要求1至3任意一项所述的光点位置检测传感器，其特征在于，在所述高阻半导体层(2)上通过扩散法或者离子注入法形成第二低阻半导体层(3)。
6.根据权利要求1至3任意一项所述的光点位置检测传感器，其特征在于，在所述第二低阻半导体层(3)表面通过氧化和低压化学气相淀积形成绝缘抗反射保护层(4)。
7.根据权利要求6所述的光点位置检测传感器，其特征在于，所述绝缘抗反射保护层(4)包括氧化硅和氮化硅。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
