[实用新型]一种聚苯胺修饰薄膜电极有效
| 申请号： | 201120559225.2 | 申请日： | 2011-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN202373460U | 公开（公告）日： | 2012-08-08 |
| 发明（设计）人： | 潘士兵;范香翠;周桂明;桑晓明;邱桂花;于名讯 | 申请（专利权）人： | 中国兵器工业集团第五三研究所 |
| 主分类号： | H01G9/042 | 分类号： | H01G9/042;H01G9/20;G02F1/155;H01M14/00;H01L51/44 |
| 代理公司： | 济南舜源专利事务所有限公司 37205 | 代理人： | 苗峻 |
| 地址： | 250031 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 苯胺 修饰 薄膜 电极 | ||
【权利要求书】：
1.一种聚苯胺修饰薄膜电极，由导电基底和聚苯胺薄膜（3）组成，其特征在于：所述基底为表面带有金属网（2）的高分子薄膜（1）。
2.权利要求1涉及的聚苯胺修饰薄膜电极，其特征在于：所述聚苯胺薄膜（3）的厚度为0.2～10μm。
3.权利要求1或2涉及的聚苯胺修饰薄膜电极，其特征在于：所述金属网（2）不超过500目。
4.权利要求3涉及的聚苯胺修饰薄膜电极，其特征在于：所述金属网（2）介于20目～300目之间。
5.权利要求1或2涉及的聚苯胺修饰薄膜电极，其特征在于：所述金属网（2）选自铜、银、不锈钢网中的任意一种或混编金属网。
6.权利要求1或2涉及的聚苯胺修饰薄膜电极，其特征在于：所述高分子薄膜（3）选自聚酯膜、聚碳酸酯膜、聚甲基丙烯酸甲酯膜、聚丙烯膜中的任意一种薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国兵器工业集团第五三研究所，未经中国兵器工业集团第五三研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201120559225.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：按键开关
- 下一篇：电解电容器及其电极极性检测装置
