[实用新型]多层保护的玻璃钝化芯片有效
| 申请号： | 201120562663.4 | 申请日： | 2011-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN202384330U | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 邓华鲜;孙晓家 | 申请（专利权）人： | 乐山嘉洋科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/58 | 分类号： | H01L23/58;H01L29/861 |
| 代理公司： | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 | 代理人： | 毛光军 |
| 地址： | 614000 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多层 保护 玻璃 钝化 芯片 | ||
【权利要求书】：
1.一种多层保护的玻璃钝化芯片，包括半导体基片（1）、半导体基片（1）上的P+层（2）、N+层（3）和玻璃钝化层（4），其特征在于：所述半导体基片（1）的腐蚀沟槽内设置有含氧多晶硅保护层（5）和氮化硅保护层（6），所述含氧多晶硅保护层（5）位于腐蚀沟槽表面上，氮化硅保护层（6）位于含氧多晶硅保护层（5）与玻璃钝化层（4）之间。
2.根据权利要求1所述的多层保护的玻璃钝化芯片，其特征在于：所述P+层（2）和N+层（3）表面均电镀设置有镍层（7）。
3.根据权利要求1或2所述的多层保护的玻璃钝化芯片，其特征在于：所述含氧多晶硅保护层（5）的厚度为500-1500埃。
4.根据权利要求1或2所述的多层保护的玻璃钝化芯片，其特征在于：所述氮化硅保护层（6）的厚度为200-1000埃。
5.根据权利要求2所述的多层保护的玻璃钝化芯片，其特征在于：所述镍层（7）的厚度为2-10um。
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