[实用新型]一种提高干法刻蚀薄膜均匀性的托盘有效
| 申请号： | 201120564198.8 | 申请日： | 2011-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN202434478U | 公开（公告）日： | 2012-09-12 |
| 发明（设计）人： | 邹建华;徐苗;王磊;陶洪;兰林锋;彭俊彪 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学;广州新视界光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01J37/32 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 罗观祥 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 刻蚀 薄膜 均匀 托盘 | ||
【权利要求书】：
1.一种提高干法刻蚀薄膜均匀性的托盘，其特征在于包括：带有凸起锥形的托盘、密封O型圈、玻璃基板盖板或者压环，所述凸起锥形的顶点为玻璃基板覆盖区域中心。
2.根据权利要求1所述的一种提高干法刻蚀薄膜均匀性的托盘，其特征在于所述带有凸起锥形的托盘开有通孔，且通孔均匀分布于玻璃基板覆盖区域。
3.根据权利要求1所述的一种提高干法刻蚀薄膜均匀性的托盘，其特征在于所述凸起锥形的底面积小于被刻蚀玻璃基板面积。
4.根据权利要求1所述的一种提高干法刻蚀薄膜均匀性的托盘，其特征在于所述托盘为铝、铜、石墨或碳化硅材料。
5.根据权利要求1所述的一种提高干法刻蚀薄膜均匀性的托盘，其特征在于玻璃基板盖板或者压环为石英、陶瓷或金属铝材料；所述密封O型圈为硅氟橡胶、氟橡胶或全氟橡胶材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华南理工大学;广州新视界光电科技有限公司，未经华南理工大学;广州新视界光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201120564198.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
