[实用新型]一种中心布线双圈排列IC芯片堆叠封装件

说明书

技术领域

本实用新型涉及电子信息自动化元器件制造技术领域，尤其涉及一种中心布线双圈排列IC芯片堆叠封装件，本实用新型还包括该封装件的生产方法。

背景技术

长期以来，受蚀刻模板及蚀刻工艺技术的限制，QFN产品一直延续着90年代开发出来的单圈引线框架模式。QFN封装经过近几年的发展，特别是2006年以来，市场需求增加，推动了QFN封装技术的快速发展，材料配套技术、制造工艺技术和封装应用技术都有了突破性的进展，实现双圈QFN产品成为可能。QFN(Quad Flat No Lead Package) 型双圈排列封装的集成电路封装技术是近几年国外发展起来的一种新型微小形高密度封装技术，是最先进的表面贴装封装技术之一。目前，普通四边扁平无引脚封装（QFN）单面封装时引脚数少、焊线长、造成焊线成本高。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是在已有的较为成熟的QFN集成电路封装技术和单圈扁平的无引脚封装技术的基础上，吸取BGA用中心布线环设计制作特点，提供一种把中心布线环和双圈排列凸点巧妙结合的中心布线双圈排列IC芯片堆叠封装件。

为解决上述技术问题采用如下技术方案：

一种中心布线双圈排列IC芯片堆叠封装件，包括引线框架载体、框架引线内引脚、IC芯片、键合线及塑封体，所述引线框架载体上粘接第一IC芯片，所述第一IC芯片上堆叠有第二IC芯片，所述第一IC芯片外侧设有中心布线环，所述中心布线环的外部设有两圈内引脚，分别为第一内引脚和第二内引脚，所述两圈内引脚之间正面腐蚀出深度为引线框架厚度的1/2的第一凹坑,第一内引脚和第二内引脚底部腐蚀出深度为引线框架厚度的1/2的第二凹坑，所述中心布线环上设有内圈焊盘和外圈焊盘两圈焊盘，所述内圈焊盘分别与第一IC芯片和第二IC芯片的焊盘打线，所述外圈焊盘分别与第一内引脚和第二内引脚打线。

所述第一IC芯片与第二IC芯片打线连接形成第五键合线，所述第一IC芯片与中心布线环的内圈焊盘打线连接形成第一键合线和第二键合线；所述第二IC芯片与中心布线环的内圈焊盘打线连接形成第六键合线和第七键合线；所述外圈焊盘打线后拉弧在第一内引脚上形成第三键合线和第八键合线，打线后拉弧在第二内引脚上形成第四键合线和第九键合线。

所述中心布线环镶嵌或粘贴在引线框架载体上，所述内圈焊盘和外圈焊盘之间通过中心布线环相通。

本实用新型的中心布线环通过高强度胶与引线框架载体相接或镶嵌，载体通过4个边筋分别与中筋和框架相连；同列内引脚通过连筋分别与中筋和相邻框架的引脚相连，通过中筋和边筋与框架相连；直线式第一内引脚和第二内引脚相连，并且第一内引脚和第二内引脚之间的上表面和底面都有凹坑，上表面凹坑（第一凹坑）减少了分离引脚厚度，底面凹坑（第二凹坑）塑封料嵌入，增强了塑封料与框架的结合，又减薄了框架厚度（框架厚度的1/2）方便引脚分离，防止分层有利于提高产品的可靠性。中心布线环上有2圈焊盘通过PCB设计线路相通，并作为IC芯片通过中心布线环内部线路的转换实现与内引脚间导通，减少焊线长度，节约焊线成本，主要是金线。

附图说明

图1为本实用新型框架局部图；

图2为本实用新型分离引脚前剖面图；

图3为本实用新型背面蚀刻减薄后剖面示意图；

图4为本实用新型磨削分离引脚后剖面图；

图5为本实用新型激光分离引脚后剖面图。

图中：1—引线框架载体 ；2—中心布线环； 3—第一粘片胶（导电胶）；4—第一IC芯片；5—第一键合线 ；6—第二键合线；7—第三键合线 ；8—第四键合线 ；9—第二粘片胶（绝缘胶）；10—第二IC芯片；11—第五键合线；12—第六键合线；13—第七键合线； 14—第八键合线；15—第九键合线；16—胶膜片；17—第一内引脚；18—第一凹坑；19—第二内引脚；20—塑封体；21—激光切口；22—内焊盘组；23—外焊盘组；24—连筋；25—中筋；26—高强度胶；27—第二凹坑；28—边筋。

具体实施方式

 下面结合附图对本实用新型做进一步的详细叙述：