[发明专利]氮化镓(GaN)自立基板的制造方法和制造装置

权利要求书

1.一种氮化镓自立基板的制造方法，是基于气相生长法的氮化镓自立基板的制造方法，包括：

向配置有与所述氮化镓不同的种基板的衬托器供给形成氮化镓晶体的原料气体，

在所述衬托器上的所述种基板上，抑制在所述种基板的两末端周边部的氮化镓晶体的异常生长，而气相生长出氮化镓自立基板，

所述衬托器具有固定所述种基板的凹槽部分、和在所述衬托器与所述种基板之间的不与所述种基板反应的辅助衬托器而构成，并且，在所述种基板与所述辅助衬托器之间具有间隙，抑制在所述种基板的两末端周边部的氮化镓晶体的异常生长。

2.根据权利要求1所述的制造方法，所述间隙的大小与所述氮化镓自立基板的厚度相同。

3.根据权利要求1或2所述的制造方法，所述间隙的大小和所述氮化镓自立基板的厚度分别大于0mm且为2mm以下。

4.根据权利要求1～3的任一项所述的制造方法，所述辅助衬托器为蓝宝石、单晶或多晶的碳化硅、单晶或多晶的氮化铝。

5.根据权利要求1～4的任一项所述的制造方法，所述辅助衬托器是在室温以上1200℃以下的温度范围不分解的辅助衬托器，或者是不与所述种基板反应的辅助衬托器。

6.根据权利要求1～5的任一项所述的制造方法，所述气相生长法为氢化物气相生长法。

7.一种氮化镓自立基板的制造装置，是基于气相生长法的氮化镓自立基板的制造装置，具有：

形成氮化镓晶体的原料气体和载气的各供给部；

具有用于使所述原料气体反应，来气相生长出氮化镓自立基板的种基板的衬托器；和

排气机构，

所述衬托器具有固定所述种基板的凹槽部分、和在所述衬托器与所述种基板之间的不与所述种基板反应的辅助衬托器而构成，并且，在所述种基板与所述辅助衬托器之间具有间隙，抑制在所述种基板的两末端周边部的氮化镓晶体的异常生长。

8.一种抑制方法，是抑制基于气相生长法的氮化镓晶体的异常生长的方法，

利用气相生长法，在具有种基板的衬托器上气相生长出氮化镓晶体，

使用所述衬托器抑制在所述种基板的两末端周边部的氮化镓晶体的异常生长，所述衬托器具有固定所述种基板的凹槽部分、和在所述衬托器与所述种基板之间的不与所述种基板反应的辅助衬托器而构成，并且，在所述种基板与所述辅助衬托器之间具有间隙。

9.一种衬托器，是用于抑制氮化镓晶体的异常生长的衬托器，在基于气相生长法的氮化镓自立基板的制造方法和制造装置以及抑制基于气相生长法的氮化镓晶体的异常生长的方法中被使用，

具有种基板、固定所述种基板的凹槽部分、和在所述衬托器与所述种基板之间的不与所述种基板反应的辅助衬托器而构成，并且，在所述种基板与所述辅助衬托器之间具有间隙，

抑制在所述种基板的两末端周边部的氮化镓晶体的异常生长。