[发明专利]电源模块及其封装集成方法

权利要求书

1.一种电源模块，包括：引线框架、无源器件、集成电路IC和功率开关金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET，其特征在于：所述无源器件通过表面贴装技术焊接在所述引线框架上；所述IC为倒装芯片，贴装并焊接在所述引线框架上。

2.如权利要求1所述的电源模块，所述无源器件包括输入电容、输出电容和功率电感。

3.如权利要求2所述的电源模块，所述IC是所述MOSFET的驱动芯片。

4.如权利要求1至3任一项所述的电源模块，其特征在于，所述MOSFET与所述IC集成在一个倒装芯片上。

5.如权利要求4所述的电源模块，其特征在于，还包括：设置在所述倒装芯片背面的金属片，用于散热并降低电气噪声。

6.如权利要求5述的电源模块，其特征在于，

所述金属片焊接在所述倒装芯片背面；或者

所述金属片通过高导热胶粘接在所述倒装芯片背面。

7.如权利要求5所述的电源模块，其特征在于，所述金属片具有弯折边，所述弯折边与引线框架电连接。

8.如权利要求1至3任一项所述的电源模块，其特征在于，所述MOSFET为两个独立的MOSFET芯片，分别焊接在所述引线框架上。

9.如权利要求8所述的电源模块，其特征在于，

所述两个独立的MOSFET芯片中任意一个是平面结构的倒装MOSFET芯片；

或者，所述两个独立的MOSFET芯片中任意一个是垂直结构的倒装MOSFET芯片，并且所述垂直结构的倒装MOSFET芯片上贴装有一个金属片，所述金属片用于实现该MOSFET芯片上的电极与引线框架的电连接；

或者，所述两个独立的MOSFET芯片中任意一个是垂直结构的正装MOSFET芯片，并且所述垂直结构的正装MOSFET芯片上贴装有两个金属片，所述金属片用于实现该MOSFET芯片上的电极与引线框架的电连接；

或者，所述两个独立的MOSFET芯片中任意一个是平面结构的正装MOSFET芯片，并且所述平面结构的正装MOSFET芯片上贴装有三个金属片，所述金属片用于实现该MOSFET芯片上的电极与引线框架的电连接。

10.如权利要求1至3任一项所述的电源模块，其特征在于，所述MOSFET为两个独立的倒装MOSFET芯片，两个MOSFET芯片和两个金属片交替堆叠贴装，所述两个金属片用于实现所述MOSFET芯片与引线框架的电连接、和/或两个MOSFET芯片之间的电连接。

11.如权利要求5、9或10所述的电源模块，其特征在于，所述金属片为铜片或铝片。

12.一种电源模块封装集成方法，其特征在于，包括：

将无源器件通过表面贴装技术焊接到引线框架上；

将集成了功率开关金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET和集成电路IC的倒装芯片利用芯片倒装技术贴装并焊接到所述引线框架上，形成一个电源模块；

对所述电源模块进行塑封；

塑封完成后，将所述电源模块进行分离。

13.一种电源模块封装集成方法，其特征在于，包括：

将无源器件通过表面贴装技术焊接到引线框架上；

将两片功率开关金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET芯片分别焊接到所述引线框架上；

将倒装芯片形式的集成电路IC芯片利用芯片倒装技术贴装并焊接到所述引线框架上，形成一个电源模块；

对所述电源模块进行塑封；

塑封完成后，将所述电源模块进行分离。