[发明专利]改进基底中斜面蚀刻重复性的装置和方法

权利要求书

1.与基底斜面蚀刻结合实施的用于改进基底中斜面蚀刻重复性的方法，所述方法包括：

提供光学装置；

确定所述基底斜面边缘的至少一斜面边缘特征；

从所述至少一斜面边缘特征得到至少一补偿因数，所述至少一补偿因数与斜面蚀刻工艺参数的调整有关；以及

使用所述至少一补偿因数实施所述斜面蚀刻。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述光学装置包括与所述基底共面地设置的摄像头并且相切地指向所述斜面边缘以获得所述基底的侧面轮廓图像。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述至少一斜面边缘特征是填充因数。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述斜面蚀刻工艺参数是斜面蚀刻时间、斜面蚀刻化学因素、电极间的间隙、RF功率、RF频率和室压中的一个。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述光学装置包括激光光源和传感器阵列，所述传感器阵列配置成检测来自所述激光光源的从所述斜面边缘反射的反射光束。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述光学装置包括摄像头、光源和至少一镜子，其中设置所述摄像头与所述基底的基底平面相对成一角度。

7.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括使用所述光学装置获得斜面边缘的厚度。

8.改进基底中斜面蚀刻重复性的设备，所述设备包括：

光学装置，其设置为确定基底斜面边缘的至少一斜面边缘特征；

逻辑模块，其从所述至少一斜面边缘特征得到至少一补偿因数，所述至少一补偿因数与斜面蚀刻工艺参数的调整有关；以及

等离子体加工室，其使用所述至少一补偿因数实施所述斜面蚀刻。

9.根据权利要求8所述的设备，其中所述光学装置包括与所述基底共面地设置的摄像头并且相切地指向所述斜面边缘以获得所述基底的侧面轮廓图像

10.根据权利要求9所述的设备，其中所述至少一斜面边缘特征是填充因数。

11.根据权利要求8所述的设备，其中所述斜面蚀刻工艺参数是斜面蚀刻时间、斜面蚀刻化学因素、电极间的间隙、RF功率、RF频率和室压中的一个。

12.根据权利要求8所述的设备，其中所述光学装置包括激光光源和传感器阵列，所述传感器阵列配置成检测来自所述激光光源的从所述斜面边缘反射的反射光束

13.根据权利要求8所述的设备，其中所述光学装置包括摄像头、光源和至少一镜子，其中设置所述摄像头与所述基底的基底平面相对成一角度。

14.根据权利要求8所述的设备，其进一步包括使用所述光学装置获得斜面边缘的厚度

15.与基底斜面蚀刻结合实施的用于改进基底中斜面蚀刻重复性的方法，所述方法包括：

提供光学装置；

确定所述基底斜面边缘的至少一斜面边缘特征，所述至少一斜面边缘特征包括斜面边缘厚度，该厚度在离所述基底边缘预定距离处测量。

从所述至少一斜面边缘特征得到至少一补偿因数，所述至少一补偿因数与斜面蚀刻工艺参数的调整有关；以及

使用所述至少一补偿因数实施所述斜面蚀刻。

16.根据权利要求15所述的方法，其中所述光学装置包括与所述基底共面地放置的摄像头并且相切地指向所述斜面边缘以获得所述基底的侧面轮廓图像。

17.根据权利要求16所述的方法，其中所述至少一斜面边缘特征是填充因数

18.根据权利要求15所述的方法，其中所述斜面蚀刻工艺参数是斜面蚀刻时间、斜面蚀刻化学因素、电极间的电极间隙、RF功率、RF频率和室压中的一个。

19.根据权利要求15所述的方法，其中所述光学装置包括激光光源和传感器阵列，所述传感器阵列配置成检测来自所述激光光源的从所述斜面边缘反射的反射光束。

20.根据权利要求15所述的方法，其中所述光学装置包括摄像头、光源和至少一镜子，其中设置所述摄像头与所述基底的基底平面相对成一角度。