[发明专利]MEMS元件以及MEMS元件的制造方法

权利要求书

1.一种微型机电系统元件，其中，

具有基板和封装薄膜，

将进行机械振动的梁结构体的可动部和邻近所述可动部的电极设置在所述基板和所述封装薄膜之间，所述可动部和所述电极在垂直于所述基板表面的方向上隔着间隙而具有相互重叠的区域，

在所述基板和所述封装薄膜之间，形成由所述电极隔开的第一空腔和第二空腔，

从位于所述可动部和所述电极重叠的区域的所述电极看时，所述第一空腔在垂直于所述基板表面的方向上位于所述可动部侧，

从位于所述可动部和所述电极重叠的区域的所述电极看时，所述第二空腔在垂直于所述基板表面的方向上位于所述可动部的相反侧，

在平行于所述基板表面的方向上，所述第一空腔与所述电极接触的侧壁(A)的内侧表面比所述第二空腔与所述电极接触的侧壁(B)的内侧表面更靠内侧。

2.根据权利要求1所述的微型机电系统元件，其中，

所述第一空腔的侧壁的内侧表面配置于：按照在向所述封装薄膜施加了机械压力时保持电极和可动部之间的间隙的方式，考虑向所述封装薄膜施加了机械压力时在所述电极中产生的机械应力而决定的位置上。

3.根据权利要求1所述的微型机电系统元件，其中，

在向所述电极施加了垂直于基板表面的方向的力时，将所述电极与所述可动部对置的区域中、在垂直于基板表面的方向上位移最大的位置设为基准位置(O)，

将所述侧壁(A)的位置(A1)与基准位置(O)的、平行于所述基板表面且垂直于构成所述可动部的梁的方向的距离设为A1，

将所述侧壁(B)的位置(B1)与基准位置(O)的、平行于所述基板表面且垂直于构成所述可动部的梁的方向的距离设为B1时，

B1/A1≥1.0。

4.根据权利要求1所述的微型机电系统元件，其中，

在向所述电极施加了垂直于基板表面的方向的力时，将所述电极与所述可动部对置的区域中、在垂直于基板表面的方向上位移最大的位置设为基准位置(O)，

将所述侧壁(A)的位置(A1)与基准位置(O)的、平行于所述基板表面且垂直于构成所述可动部的梁的方向的距离设为A1，

将所述侧壁(B)的位置(B1)与基准位置(O)的、平行于所述基板表面且垂直于构成所述可动部的梁的方向的距离设为B1时，

B1/A1≥1.5。

5.根据权利要求1所述的微型机电系统元件，其中，

在向所述电极施加了垂直于基板表面的方向的力时，将所述电极与所述可动部对置的区域中、在垂直于基板表面的方向上位移最大的位置设为基准位置(O)，

将所述侧壁(A)的位置(A1)与基准位置(O)的、平行于所述基板表面且垂直于构成所述可动部的梁的方向的距离设为A1，

将所述侧壁(B)的位置(B1)与基准位置(O)的、平行于所述基板表面且垂直于构成所述可动部的梁的方向的距离设为B1时，

B1/A1≤3.2。

6.根据权利要求1所述的微型机电系统元件，其中，

在平行于所述基板表面的方向上，所述第一空腔的侧壁整体的内侧表面比所述第二空腔的侧壁整体的内侧表面更靠内侧。

7.根据权利要求1所述的微型机电系统元件，其中，

所述第一空腔是除去第一牺牲层而形成的，所述第二空腔是除去第二牺牲层而形成的。

8.根据权利要求7所述的微型机电系统元件，其中，

在同一个蚀刻工艺中，最先除去所述第二牺牲层，之后除去所述第一牺牲层，形成所述第二空腔和第一空腔。

9.根据权利要求7所述的微型机电系统元件，其中，

所述第一牺牲层和所述第二牺牲层由互不相同的材料形成，各个牺牲层的材料选择为所述第二牺牲层的蚀刻速率大于所述第一牺牲层的蚀刻速率，在同一个蚀刻工艺中，最先除去所述第一牺牲层，之后除去所述第二牺牲层，形成所述第一空腔和第二空腔。

10.根据权利要求1所述的微型机电系统元件，其中，

利用树脂对所述封装薄膜的外侧进行模塑成型。