[发明专利]用于电容感应电极相关应用的网格结构

权利要求书

1.一种电容性传感器阵列，包括：

第一多个传感器元件，所述第一多个传感器元件中的每一个包括核心迹线，其中，所述核心迹线是所述第一多个传感器元件中的每一个的最宽的迹线；以及

第二传感器元件，所述第二传感器元件包括主迹线，其中，主迹线与所述第一多个传感器元件中的每一个交叉以形成均与单位晶格相关联的多个交叉，其中，所述多个单位晶格中的每一个指定最接近相应交叉的一组位置，其中，主迹线的连续部分穿过所述多个单位晶格中的至少一个，其中，所述第一多个传感器元件中的每一个的核心迹线的连续部分穿过所述多个单位晶格中的至少一个，并且其中，在每个单位晶格内，第二传感器元件包括从主迹线分叉的至少一个初级子迹线。

2.根据权利要求1所述的电容性传感器阵列，其中，所述至少一个初级子迹线在所述至少一个初级子迹线和主迹线之间的结点处与主迹线实质上正交。

3.根据权利要求1所述的电容性传感器阵列，其中，所述至少一个初级子迹线包括至少两个初级子迹线。

4.根据权利要求3所述的电容性传感器阵列，其中，所述至少两个初级子迹线中的第一初级子迹线具有与所述至少两个初级子迹线中的第二初级子迹线不同的长度。

5.根据权利要求3所述的电容性传感器阵列，其中，所述至少两个初级子迹线从主迹线的两个相对侧分叉，并且关于沿着一部分主迹线对称延伸的轴对称。

6.根据权利要求3所述的电容性传感器阵列，其中，所述至少两个初级子迹线从主迹线的相同侧分叉并且是平行的。

7.根据权利要求3所述的电容性传感器阵列，还包括位于所述至少两个初级子迹线之间的一个或多个虚设迹线，其中，所述一个或多个虚设迹线中的每一个包括导电材料，所述导电材料与所述第一多个传感器元件和第二传感器元件电隔离。

8.根据权利要求1所述的电容性传感器阵列，还包括所述第一多个传感器元件中的每一个之间的一个或多个虚设迹线，其中，所述一个或多个虚设迹线包括导电材料，所述导电材料与所述第一多个传感器元件和第二传感器元件电隔离。

9.一种电容性传感器阵列，包括：

第一多个传感器元件，其中，所述第一多个传感器元件中的每一个包括核心迹线，其中，所述核心迹线是所述第一多个传感器元件中的每一个的最宽的迹线；以及

第二传感器元件，所述第二传感器元件电容性地耦合至所述第一多个传感器元件中的每一个，其中，所述第二传感器元件包括：

主迹线，和

从主迹线分叉的多个初级子迹线，其中，主迹线与所述第一多个传感器元件中的每一个交叉以形成多个单位晶格，其中，所述多个单位晶格中的每一个指定与第二传感器元件和所述第一多个传感器元件中的一个传感器元件之间的交叉对应的区域，其中，主迹线的连续部分穿过所述多个单位晶格的至少一个，其中，所述第一多个传感器元件中的每一个的核心迹线的连续部分穿过所述多个单位晶格中的至少一个。

10.根据权利要求9所述的电容性传感器阵列，其中，对于所述多个单位晶格中的每一个，与第二传感器元件和所述第一多个传感器元件中的一个传感器元件之间的任何其它交叉相比，单位晶格内的每个点更接近于与所述单位晶格相对应的交叉，并且其中，主迹线延伸穿过所述多个单位晶格中的每一个。

11.根据权利要求9所述的电容性传感器阵列，其中，所述多个初级子迹线中的每一个对应于所述多个单位晶格中的一个。

12.根据权利要求9所述的电容性传感器阵列，其中，所述多个初级子迹线中的第一子迹线具有与所述多个初级子迹线中的第二子迹线不同的长度。

13.根据权利要求9所述的电容性传感器阵列，其中，所述多个初级子迹线中的至少一个平行于从主迹线的相同侧分叉的所述多个初级子迹线中的另一个，并且其中，所述至少一个初级子迹线在所述至少一个初级子迹线和主迹线之间的结点处与主迹线实质上正交。

14.根据权利要求9所述的电容性传感器阵列，还包括位于所述多个初级子迹线中的第一子迹线和所述多个初级子迹线中的第二子迹线之间的一个或多个虚设迹线，其中，所述一个或多个虚设迹线中的每一个包括导电材料，所述导电材料与所述第一多个传感器元件和第二传感器元件电隔离。