[发明专利]薄膜太阳能电池和其制造方法无效
申请号: | 201180003144.7 | 申请日: | 2011-01-12 |
公开(公告)号: | CN102612756A | 公开(公告)日: | 2012-07-25 |
发明(设计)人: | 藤挂伸二 | 申请(专利权)人: | 富士电机株式会社 |
主分类号: | H01L31/04 | 分类号: | H01L31/04 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜 太阳能电池 制造 方法 | ||
1.一种薄膜太阳能电池的制造方法,所述薄膜太阳能电池是具有在厚度方向上组合了两个以上以非单晶硅为主材料的n、i、p结的光电变换层的衬底型太阳能电池,并且在衬底上依次层叠有金属电极、所述光电变换层、透明电极,所述薄膜太阳能电池的制造方法的特征在于:
所述薄膜太阳能电池具有作为所述透明电极侧的所述光电变换层的顶电池和较所述顶电池更靠所述金属电极侧的一层以上的电池,
所述制造方法包括以下工序:从所述透明电极侧使用选择性地至少对所述顶电池以外的所述电池具有灵敏度的波长的激光同时去除所述两个以上的所述光电变换层和所述透明电极。
2.如权利要求1所述的薄膜太阳能电池的制造方法,其特征在于:
所述薄膜太阳能电池是具有作为所述透明电极侧的所述光电变换层的顶电池和所述金属电极侧的底电池的串列层积体,
所述制造方法包括以下工序:从所述透明电极侧使用选择性地对所述底电池具有灵敏度的波长的激光同时去除两个所述光电变换层和所述透明电极。
3.如权利要求2所述的薄膜太阳能电池的制造方法,其特征在于:
所述光电变换层的底电池的i层的带隙小于顶电池的i层。
4.如权利要求2或3所述的薄膜太阳能电池的制造方法,其特征在于:
所述光电变换层的顶电池的i层为非晶硅,所述光电变换层的底电池的i层为非晶硅锗、微晶硅、微晶硅锗中的任意一个。
5.如权利要求1所述的薄膜太阳能电池的制造方法,其特征在于:
所述薄膜太阳能电池是具有作为所述透明电极侧的所述光电变换层的顶电池、所述金属电极侧的底电池和中间的中间电池的三层式层积体,
所述制造方法包括以下工序:从所述透明电极侧使用选择性地对所述中间电池和所述底电池中至少一个具有灵敏度的波长的激光同时去除三个所述光电变换层和所述透明电极。
6.如权利要求1至5中任一项所述的薄膜太阳能电池的制造方法,其特征在于:
所述激光的波长处于600~900nm的范围。
7.如权利要求1至4中任一项所述的薄膜太阳能电池的制造方法,其特征在于:
使用的所述激光为翠绿宝石激光、红宝石激光、钛蓝宝石激光、氦氖激光、氪离子激光、由AlGaAs构成的半导体激光中的任意一种。
8.一种薄膜太阳能电池,是具有在厚度方向上组合了两个以上以非单晶硅为主材料的n、i、p结的光电变换层的衬底型太阳能电池,并且在衬底上依次层叠有金属电极、所述光电变换层、透明电极,该薄膜太阳能电池的特征在于:
具有作为所述透明电极侧的所述光电变换层的顶电池和较所述顶电池更靠所述金属电极侧的一层以上的电池,
并且具有通过激光产生装置从所述透明电极侧同时去除所述两个以上的所述光电变换层和所述透明电极的结构,其中所述激光产生装置产生选择性地对所述顶电池以外的所述电池具有灵敏度的波长的激光。
9.如权利要求8所述的薄膜太阳能电池,其特征在于:
是具有作为所述透明电极侧的所述光电变换层的顶电池和所述金属电极侧的底电池的串列层积体,
并且具有通过激光装置从所述透明电极侧同时去除两个所述光电变换层和所述透明电极的结构,其中所述激光装置产生选择性地对所述底电池具有灵敏度的波长的激光。
10.如权利要求9所述的薄膜太阳能电池,其特征在于:
所述光电变换层的底电池的i层带隙小于顶电池的i层。
11.如权利要求9或10所述的薄膜太阳能电池,其特征在于:
所述光电变换层的顶电池的i层为非晶硅,所述光电变换层的底电池的i层为非晶硅锗、微晶硅、微晶硅锗中的任意一个。
12.如权利要求8所述的薄膜太阳能电池,其特征在于:
是具有作为所述透明电极侧的所述光电变换层的顶电池、所述金属电极侧的底电池和中间的中间电池的三层式层积体,
并且具有通过激光装置从所述透明电极侧同时去除三个所述光电变换层和所述透明电极的结构,其中所述激光装置产生选择性地对所述中间电池和所述底电池中至少一个具有灵敏度的波长的激光。
13.如权利要求8至12中任一项所述的薄膜太阳能电池,其特征在于:
所述激光产生装置被构成为产生所述激光的波长范围为600~900nm的激光。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士电机株式会社,未经富士电机株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201180003144.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:快速松、紧无螺纹夹具
- 下一篇:一种谐振器及腔体滤波器
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的